发明名称 |
溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法 |
摘要 |
本发明的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。溅射装置(100)具有传送机构、第1溅射靶(Tc1)、第2溅射靶(Tc2~Tc5)、溅射机构。传送机构配置在真空槽的内部,将支承基板的支承机构沿着平行于所述被处理面的传送面直线运动地进行传送。第1溅射靶(Tc1)对着传送面且与之相隔第1间隔。第2溅射靶配置在第1溅射靶的基板的传送方向的下游侧,对着传送面且与之相隔比第1间隔小的第2间隔。溅射机构使所述第1溅射靶(Tc1)与第2溅射靶(Tc2~Tc5)产生溅射。采用这样的溅射装置(110),对衬底层的损伤小,能够制造出成膜特性良好的薄膜。 |
申请公布号 |
CN102187008A |
申请公布日期 |
2011.09.14 |
申请号 |
CN200980140711.6 |
申请日期 |
2009.10.09 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
仓田敬臣;清田淳也;新井真;赤松泰彦;石桥晓;斋藤一也 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 |
代理人 |
韩登营;栗涛 |
主权项 |
一种溅射装置,用于在基板的被处理面上形成薄膜,其特征在于,包括:真空槽,其能够维持真空状态;支承机构,其配置在所述真空槽的内部,对所述基板进行支承;传送机构,其配置在所述真空槽的内部,将所述支承机构沿着平行于所述被处理面的传送面直线运动地进行传送;第1溅射靶,其对着所述传送面且与之相隔第1间隔;第2溅射靶,其配置在所述第1溅射靶的所述基板的传送方向的下游侧,对着所述传送面且与之相隔比所述第1间隔小的第2间隔;溅射机构,其使所述第1溅射靶与第2溅射靶产生溅射。 |
地址 |
日本神奈川 |