| 发明名称 | EUV光刻装置及用于处理光学元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种EUV光刻装置，包括：照明单元，用于照明所述EUV光刻装置中的照明位置处的掩模；以及投射单元，用于将设置在所述掩模上的结构投射到光敏基底上。所述EUV光刻装置具有处理单元(15)，用于在所述EUV光刻装置中的处理位置处，优选以局部分辨的方式，处理光学元件(6a)，尤其是掩模。为了激活所述气体流(27)的至少一个气体成分，所述处理单元(15)包括用于产生辐射的辐射源、用于产生粒子流(尤其是电子束)的粒子产生器(30)、和/或高频产生器。 | ||
| 申请公布号 | CN102187281A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN200980141048.1 | 申请日期 | 2009.10.15 |
| 申请人 | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 | 发明人 | 沃尔夫冈·辛格;关彦彬;斯蒂芬-沃尔夫冈·施米特;德克·H·埃姆;迪特尔·克劳斯;斯蒂芬·威斯纳;斯蒂芬·凯勒;阿尔穆特·查普;钟显耀 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F1/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | EUV光刻装置(1a‑c)，包括：‑照明装置(5)，用于照明所述EUV光刻装置(1a‑c)中的照明位置(IL)处的掩模(8)；以及投射装置(6)，用于将设置在所述掩模(8)上的结构成像到光敏基底(12)上，其特征在于：处理装置(15)，用于在所述EUV光刻装置(1a‑c)中的处理位置(TM)处，优选以局部分辨的方式，处理光学元件(6a、8)，尤其是所述掩模(8)，所述处理装置(15)包括：气体供应装置(25)，其具有气体喷嘴(26)，用于将气体流(27)优选局部地供应到所述光学元件(6a、8)的表面；以及用于产生辐射(28)的辐射源(29)；用于产生粒子流，尤其是电子束(30a)的粒子产生器(30)；和/或高频产生器；用于激活所述气体流(27)的至少一个气体成分。 | ||
| 地址 | 德国上科亨 | ||