| 发明名称 | 一种非对称栅MOS器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非对称栅MOS器件，其栅极为金属栅，且所述金属栅的功函数在所述MOS器件的源端与漏端不同，从而使得MOS器件的整体性能参数更加优化；同时，还公开了一种非对称栅MOS器件的制备方法，该方法通过对MOS器件的栅极进行离子注入掺杂，使所述栅极的功函数在所述MOS器件的源端与漏端不同，从而使得MOS器件的整体性能参数更加优化，该方法简单方便。 | ||
| 申请公布号 | CN102184961A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN201110106296.1 | 申请日期 | 2011.04.26 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 吴东平;胡成;朱伦;朱志炜;张世理;张卫 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人 | 卢刚 |
| 主权项 | 一种非对称栅MOS器件，其特征在于，所述MOS器件的栅极为金属栅，且所述金属栅的功函数在所述MOS器件的源端与漏端不同。 | ||
| 地址 | 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 | ||