| 发明名称 | 多孔阳极氧化铝生物芯片的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种多孔阳极氧化铝生物芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，清洗，去除有机和无机杂质；步骤2：前烘，对衬底进行真空干燥；步骤3：在经过真空干燥的衬底表面蒸镀铝膜；步骤4：将表面镀有铝膜的衬底放入电解液中，进行第一次阳极氧化；步骤5：将第一次阳极氧化的衬底用磷酸和铬酸混合液浸泡，去除第一次阳极氧化产生的氧化铝膜，在铝膜的表面形成活性点；步骤6：对该铝膜进行第二次阳极氧化及扩孔处理，在铝膜的表面活性点处形成穿孔，得到多孔阳极氧化铝阵列芯片；步骤7：用等离子体处理该芯片表面；步骤8：将双官能团分子共价结合在该芯片表面，完成多孔阳极氧化铝生物芯片的制作。 | ||
| 申请公布号 | CN102183629A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN201110059461.2 | 申请日期 | 2011.03.11 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 韩伟静;俞育德;李运涛;任鲁风;周晓光;于军;孙英男 |
| 分类号 | G01N33/48(2006.01)I;C25D11/12(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I | 主分类号 | G01N33/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种多孔阳极氧化铝生物芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，清洗，去除有机和无机杂质；步骤2：前烘，对衬底进行真空干燥；步骤3：在经过真空干燥的衬底表面蒸镀铝膜；步骤4：将表面镀有铝膜的衬底放入电解液中，进行第一次阳极氧化；步骤5：将第一次阳极氧化的衬底用磷酸和铬酸混合液浸泡，去除第一次阳极氧化产生的氧化铝膜，在铝膜的表面形成活性点；步骤6：对该铝膜进行第二次阳极氧化及扩孔处理，在铝膜的表面活性点处形成穿孔，得到多孔阳极氧化铝阵列芯片；步骤7：用等离子体处理该芯片表面；步骤8：将双官能团分子共价结合在该芯片表面，完成多孔阳极氧化铝生物芯片的制作。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||