| 发明名称 | 一种DBICMOS集成电路制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种DBICMOS集成电路制造工艺，该制造工艺包括N阱制作步骤、有源区制作步骤、P型场区制作步骤、多晶制作步骤、N型区制作步骤、P型区制作步骤、接触孔制作步骤、铝线制作步骤和钝化层制作步骤，所述制造工艺还包括在所述P型场区制作步骤之后的基区制作步骤和电容制作步骤以及在所述多晶制作步骤之后的N型Ldd制作步骤。本发明通过增加电容制作步骤将多晶电容优化为MOS电容，提高了产品的设计精度；同时，通过增加基区制作步骤和N型Ldd制作步骤，实现了双极和DMOS结构的制作；另外，还通过调节N型区的浓度进一步优化了电路性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102184897A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN201110076175.7 | 申请日期 | 2011.03.28 |
| 申请人 | 上海贝岭股份有限公司 | 发明人 | 聂纪平;谢玉森;张勇;刘亿 |
| 分类号 | H01L21/8249(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8249(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241 | 代理人 | 章蔚强 |
| 主权项 | 一种DBICMOS集成电路制造工艺，该制造工艺包括N阱制作步骤、有源区制作步骤、P型场区制作步骤、多晶制作步骤、N型区制作步骤、P型区制作步骤、接触孔制作步骤、铝线制作步骤和钝化层制作步骤，其特征在于，所述制造工艺还包括在所述P型场区制作步骤之后的基区制作步骤和电容制作步骤以及在所述多晶制作步骤之后的N型Ldd制作步骤。 | ||
| 地址 | 200233 上海市徐汇区宜山路810号 | ||