| 发明名称 | 氮化物基半导体发光元件、制造氮化物基半导体发光元件的方法和发光装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供具有优良的光提取效率的氮化物基半导体发光元件。发光元件(11)包括支撑基体(13)和半导体层叠体(15)。半导体层叠体(15)包含n型GaN基半导体区域(17)、有源层(19)和p型GaN基半导体区域(21)。n型GaN基半导体区域(17)、有源层(19)和p型GaN基半导体区域(21)搭载在主面(13a)上，且沿着与主面(13a)正交的规定轴Ax的方向配置。支撑基体(13)的背面(13b)相对于与沿着支撑基体(13)的六方晶系氮化镓半导体的c轴方向延伸的基准轴正交的平面而倾斜。向量VC表示c轴方向。背面(13b)的表面形态M具有朝<000-1>轴的方向突出的多个突起(23)。规定轴Ax的方向与基准轴的方向(向量VC的方向)不同。 | ||
| 申请公布号 | CN102187480A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN200980141389.9 | 申请日期 | 2009.10.14 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 盐谷阳平;善积祐介;京野孝史;上野昌纪;中村孝夫 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种氮化物基半导体发光元件，其特征在于，包括：支撑基体，其包含六方晶系氮化镓半导体，且具有主面和背面，和半导体层叠体，其包含p型氮化镓基半导体区域、n型氮化镓基半导体区域和有源层；所述支撑基体的所述背面相对于与沿着该六方晶系氮化镓半导体的c轴方向延伸的基准轴正交的平面而倾斜，所述背面的表面形态具有朝所述基准轴的方向突出的多个突起，所述有源层设置在所述p型氮化镓基半导体区域与所述n型氮化镓基半导体区域之间，所述p型氮化镓基半导体区域、所述有源层和所述n型氮化镓基半导体区域在所述支撑基体的所述主面上沿着规定轴的方向配置而构成半导体层叠体，所述规定轴的方向与所述基准轴的方向不同。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||