一种制备多晶硅绒面的方法

摘要

本发明公开了一种制备多晶硅绒面的方法，其包括步骤：1、将多晶硅原料片在PECVD设备上单面镀一层厚为40～50nm的氮化硅保护膜；2、用瑞纳制绒设备对镀氮化硅保护膜的多晶硅片的背面制绒；混合酸液是体积比为1∶2∶1.6的比例进行混合的浓度为40％的氢氟酸水溶液、浓度为65％的硝酸水溶液与去离子水，温度保持在5-7℃，制绒2-3分钟；3、将制绒后的多晶硅片浸泡在浓度为10％～20％的氢氟酸水溶液中浸泡10～30min，待硅片表面的氮化硅完全脱落后，进行水洗，烘干。使用该方法制备多晶硅绒面，只是使多晶硅单面制绒，而背面保持平坦面，经过背电极和背面场印刷后烧结更能形成良好的欧姆接触，并减少金属与硅之间的电子-空穴对的复合，从而提高了多晶硅电池的电性能。

主权项

一种制备多晶硅绒面的方法，其特征在于：其包括以下步骤：(1)将多晶硅原料片在PECVD设备上单面镀一层氮化硅保护膜；在PECVD设备沉积腔室内充气体流量比为2.7～2.9∶1的氨气和硅烷气体，沉积温度为400～450℃，在原料片上沉积一层膜厚为40～50nm，折射率为2.1的氮化硅保护膜；(2)再将镀有氮化硅保护膜的多晶硅原料片单面制绒，将多晶硅片有镀膜层的一面向上放置在瑞纳制绒设备上，使没有镀保护膜的一面与药液接触，进行单面制绒；药液是由以下材料组成的：按照体积比为1∶2∶1.6的比例进行混合的浓度为40％的氢氟酸水溶液、浓度为65％的硝酸水溶液与去离子水，单面腐蚀深度控制在3.0±0.2um，反射率控制在22％±3。(3)去除多晶硅片上的氮化硅保护膜，将制绒后的多晶硅片浸泡在浓度为10％～20％的氢氟酸水溶液中10～30min，待硅片表面的氮化硅完全脱落后，进行水洗，烘干。