| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管，其特征在于，具有栅电极、栅极绝缘膜、与栅极绝缘膜相接的氧化物半导体膜以及与氧化物半导体膜连接且由沟道部隔开的源电极及漏电极，所述氧化物半导体膜包含含有氢元素的结晶质氧化铟，相对于形成氧化物半导体膜的所有元素，所述氧化物半导体膜中所含的氢元素的含量为0.1at％～5at％。 | ||
| 申请公布号 | CN102187467A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN200980141428.5 | 申请日期 | 2009.10.19 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 井上一吉;矢野公规;笘井重和;笠见雅司;川岛浩和;宇都野太 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 雒运朴 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，具有栅电极、栅极绝缘膜、与所述栅极绝缘膜相接的氧化物半导体膜、以及与所述氧化物半导体膜连接且由沟道部隔开的源电极及漏电极，所述氧化物半导体膜包含含有氢元素的结晶质氧化铟，相对于形成氧化物半导体膜的所有元素，所述氧化物半导体膜中所含的氢元素的含量为0.1at％～5at％。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||