等离子体处理装置以及等离子体处理方法

摘要

本发明提供一种等离子体处理装置和方法，能够提高晶片面内的蚀刻处理的均匀性。相对于与供给等离子体生成用的高频电力的下部电极3相对的上部电极(4)来设置电气特性调整部(20)。电气特性调整部(20)可以进行调整，使得相对于向下部电极3供给的高频电力的频率的、从等离子体(P)看到的上部电极(4)一侧的电路的阻抗，使该电路不发生共振。在进行蚀刻处理时，通过调整，使得所述阻抗从共振点错开，以提高蚀刻处理的面内均匀性。

主权项

一种等离子体处理方法，其特征在于：在处理容器内，将基板载置于相对上部电极而配置的下部电极上，向所述下部电极供给第一高频电力，在所述下部电极和所述上部电极之间产生等离子体，向所述下部电极供给比所述第一高频电力的频率低的第二高频电力，用于将所述等离子体中的离子向所述基板引入，通过该等离子体来处理基板，其中，调整相对于存在于所述处理容器内的至少一个高频频率的、从所述等离子体看到的电极一侧的电路中的阻抗，使所述电路不发生共振，从所述等离子体看到的电极一侧的电路包括：护套区域、所述电极、所述导线以及电气特性调整部，从面对所述等离子体的电极面将被调整阻抗的电极一侧的电路中的电抗调整为负值，调整与供给所述高频电力的供给电极相对的对向电极一侧的电路中的阻抗，使该电路不发生共振，所述电极是上部电极。