垂直结构氮化镓基LED的制作方法

摘要

本发明公开了一种垂直结构氮化镓基LED的制备方法，按照下述步骤进行：①在蓝宝石衬底上依次外延n型半导体层和p型半导体层，形成LED晶片；在LED晶片的表面蒸镀金属，并在氮气气氛中、200-400℃处理1-10min，形成p电极，然后将LED晶片分割成独立的LED芯片；②在复合金属基板的上表面和下表面分别蒸镀金层，所述复合金属基板为铜钼合金或者铝硅合金；③将步骤①中独立的LED芯片分别倒装焊接至复合金属基板的上表面；④剥离LED芯片的衬底；⑤在LED芯片的n型半导体材料上制备n电极。本发明采用热导率高的CuMo或AlSi复合金属基板作为转移衬底，与被转移的LED芯片之间的热膨胀系数差距小，热应力小，提高了键合成品率。

主权项

一种垂直结构氮化镓基LED的制备方法，其特征在于按照下述步骤进行：①制备分立的LED芯片在蓝宝石衬底上依次外延n型GaN层和p型GaN层，制备氮化镓基LED外延片；在氮化镓基LED外延片的表面蒸镀金属，并在氮气气氛中、200‑400℃处理1‑10min，形成p电极，然后将氮化镓基LED外延片分割成分立的LED芯片；②复合金属基板的处理在复合金属基板的上表面和下表面分别蒸镀金层，所述复合金属基板为铜钼合金或者铝硅合金；③将步骤①中分立的LED芯片分别倒装焊接至复合金属基板的上表面；④剥离去除LED芯片的蓝宝石衬底；⑤在LED芯片的n型GaN层上制备n电极。