沟槽型碳化硅肖特基功率器件

摘要

本发明为沟槽型碳化硅肖特基功率器件，涉及电子元器件领域，现在所用的肖特基功率器件为由上金属电极，N型碳化硅层和下金属电极组成的平面结构，当器件电压反向偏置时，即上负下正，电流关断，但实际上很难完全关断，一般漏电流较大，为此，本发明设计了沟槽型结构，即在N型碳化硅层上开有多个沟槽，上金属电极延伸到沟槽中，在沟槽中上金属电极和N型碳化硅层之间也具有二氧化硅绝缘层，本发明大大提高了此区域的电阻，从而进一步减低了漏电流几十倍，本发明具有结构简单，加之方便，漏电流低的有益效果。

主权项

沟槽型碳化硅肖特基功率器件，由上金属电极、N型碳化硅层和下金属电极组成，在上金属电极与N型碳化硅层之间具有二氧化硅绝缘层，其特征为在N型碳化硅层上开有多个沟槽，上金属电极随着沟槽延伸到沟槽中，在沟槽中上金属电极和N型碳化硅之间也具有二氧化硅绝缘层。