发明名称 | 基于微机电技术制作声表面波相关器的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种基于微机电技术制作声表面波相关器的方法,该方法包括:在压电晶体衬底上制作两组叉指换能器,该两组叉指换能器互不平行且成一定角度;在所述两组叉指换能器之间制作空气桥;在空气桥上蒸镀金属薄膜,引出金属电极。利用本发明制作的声表面波相关器,具有体积小,制作工艺简单,反应迅速,且易与集成电路工艺集成的特点,而且叉指换能器的特殊设计大大减小了噪声干扰。 | ||
申请公布号 | CN101729035B | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
申请号 | CN200810224904.7 | 申请日期 | 2008.10.24 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李昊峰;贾锐;李维龙;陈晨;朱晨昕 |
分类号 | H03H3/02(2006.01)I | 主分类号 | H03H3/02(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 一种基于微机电技术制作声表面波相关器的方法,其特征在于,该方法包括:在压电晶体衬底上制作两组叉指换能器,该两组叉指换能器互不平行;在所述两组叉指换能器之间制作空气桥;以及在空气桥上蒸镀金属薄膜,引出金属电极;其中,所述两组叉指换能器同时作为声表面波相关器的输入端,所述金属电极作为声表面波相关器的输出端;所述在两组叉指换能器之间制作空气桥,具体包括:在两组叉指换能器之间的区域B旋涂光刻胶;采用LPCVD技术在区域A淀积多晶硅膜,区域B被包含于区域A中;利用离子注入技术,将淀积的多晶硅膜变成n+硅膜;以及在区域A用光刻胶做掩蔽进行刻蚀,去除区域A外的多晶硅或n+硅,在两组叉指换能器之间形成空气桥。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |