| 发明名称 | 利用中间退火制造包括能带工程超晶格的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制造半导体器件的方法，可以包括形成包括多个叠加的层组的超晶格，每个层组包括用于限定基础半导体部分的多个叠加的基础半导体单层和限制于相邻的基础半导体部分内的至少一个非半导体单层。本方法也可以包括在完成超晶格的形成之前，进行至少一次退火。 | ||
| 申请公布号 | CN101501818B | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN200680022402.5 | 申请日期 | 2006.05.18 |
| 申请人 | 梅尔斯科技公司 | 发明人 | 迈尔柯·伊萨;罗伯特·约翰·史蒂芬森;斯考特·A·克瑞普斯 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，包括：形成包括多个叠加的层组的超晶格，每个层组包括限定基础半导体部分的多个叠加的基础半导体单层和限制于相邻的基础半导体部分的晶格内的选自包括氧、氮、氟和碳‑氧的组中的至少一个非半导体单层；以及在完成所述超晶格的形成之前，在550到750℃范围内的温度下进行至少一次退火。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞 | ||