发明名称 半导体发光器件用部件及其制造方法、以及使用该部件的半导体发光器件
摘要 本发明提供半导体发光器件用部件及其制造方法、以及使用该部件的半导体发光器件,所述新颖的半导体发光器件用部件具有优异的透明性、耐光性、耐热性,能够密封半导体发光器件并保持荧光体,即使长期使用也不产生裂纹和剥离。所述半导体发光器件用部件具有如下特征:(1)具有存在于陶瓷或金属表面的羟基或能够与金属氧烷键中的氧形成氢键的官能团;(2)在200℃放置500小时,放置前后,波长400nm的光的透过率的维持率为80%~110%;(3)以中心波长为400nm~450nm且波长大于385nm小于等于500nm的光进行24小时的照射以使波长436nm的照度为4500W/m2后,目视确认没有发生变化;(4)波长550nm的光的折射率为1.45以上。
申请公布号 CN101268120B 申请公布日期 2011.09.14
申请号 CN200680034941.0 申请日期 2006.09.22
申请人 三菱化学株式会社 发明人 加藤波奈子;森宽;小林博;外村翼;山崎正典;阿部麻理
分类号 C08G77/18(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I 主分类号 C08G77/18(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 丁香兰;赵冬梅
主权项 一种半导体发光器件用部件,该部件的特征在于:(1)具有羟基或能够与金属氧烷键中的氧形成氢键的官能团;(2)在200℃放置500小时,放置前后,波长400nm的光在膜厚为1.0mm时的透过率的维持率为80%~110%;(3)以中心波长为400nm~450nm且波长大于385nm小于等于500nm的光进行24小时的照射从而使波长436nm的照度为4500W/m2后,目视确认没有发生变化;(4)波长550nm的光的折射率为1.45以上。
地址 日本东京