| 发明名称 | Ⅲ族氮化物半导体电子器件、制作Ⅲ族氮化物半导体电子器件的方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延片 | ||
| 摘要 | 提供具有能减少漏电流的结构的III族氮化物半导体电子器件。层叠体(11)包括衬底(13)及III族氮化物半导体外延膜(15)。衬底(13)由具有超过1×1018cm-3的载流子浓度的III族氮化物半导体构成。外延结构物(15)包括III族氮化物半导体外延膜(17)。衬底(13)的第一面(13a)相对于向c轴方向延伸的轴(Cx)以大于5度的角度θ倾斜。法线矢量VN以及c轴矢量VC形成角度θ。III族氮化物半导体外延膜(17)包括依次配置在第一面(13a)的法线方向上的第一、第二及第三区域(17a、17b、17c)。第三区域(17c)的位错密度小于第一区域(17a)的位错密度。第二区域(17b)的位错密度小于衬底(13)的位错密度。 | ||
| 申请公布号 | CN102187433A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN200980141759.9 | 申请日期 | 2009.10.20 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 盐见弘;住吉和英;斋藤雄;木山诚 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 谢丽娜;关兆辉 |
| 主权项 | 一种III族氮化物半导体电子器件，其特征在于，具备：支撑衬底，其由具有超过1×1018cm‑3的载流子浓度的III族氮化物半导体构成，且包括第一面和与该第一面相反侧的第二面；以及第一III族氮化物半导体外延层，其设置于上述支撑衬底的上述第一面上，上述III族氮化物半导体外延层与上述支撑衬底的上述第一面形成结合，上述支撑衬底的上述第一面相对于向上述III族氮化物半导体的c轴方向延伸的基准轴以大于5度的角度倾斜，上述第一III族氮化物半导体外延层包括依次配置在上述第一面的法线方向上的第一区域、第二区域以及第三区域，上述第二区域的位错密度小于上述支撑衬底的位错密度，上述第三区域的位错密度小于上述第一区域的位错密度。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||