发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法,在具有MEMS部的半导体装置中可以提高制造成品率并提高生产率,并且确保高可靠性。该半导体装置具有:半导体基板(2);MEMS部(3),形成于半导体基板(2)表面;以及,盖部,与MEMS部(3)离开距离配置,覆盖MEMS部(3)地设置于半导体基板(2)的表面;上述盖部由包围MEMS部(3)的侧壁区域(E)和具有中空层且同半导体基板(2)及侧壁区域(E)一起形成封闭空间的顶板区域(F)构成。 | ||
申请公布号 | CN101254892B | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
申请号 | CN200810082278.2 | 申请日期 | 2008.02.29 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 西内秀夫;宫城武史;馆山和树;小幡进;樋口和人 |
分类号 | H01L21/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/14(2006.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈英俊 |
主权项 | 一种半导体装置,其特征在于,具备:半导体基板;微电子机械系统部,形成于所述半导体基板表面;以及盖部,与所述微电子机械系统部离开距离配置,覆盖着所述微电子机械系统部设于所述半导体基板表面;所述盖部包括:侧壁区域,包围所述微电子机械系统部;以及,顶板区域,同所述半导体基板与所述侧壁区域一起形成封闭空间;所述顶板区域具有2层结构,该2层结构包括第1顶板区域和第2顶板区域;所述封闭空间是将所述第1顶板区域和所述半导体基板之间的空间、以及所述第1顶板区域和所述第2顶板区域之间的中空层通过通孔结合而构成的。 | ||
地址 | 日本东京都 |