发明名称 |
一种超高压半导体整流器 |
摘要 |
本实用新型公开了一种超高压半导体整流器,包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体,多层硅芯片位于两铜引线端面之间,通过焊料与铜引线端面焊接,硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中,而整个超高压半导体整流器除两铜引线的另一端头外,其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内,其中,晶粒尺寸为36mil。本实用新型的有益效果是:结构简单,并将原设计43mil晶粒更改为36mil晶粒,因此本实用新型不仅有耐压高的特点,而且以满足工艺条件降低成本为目的,提高产品市场竞争能力。 |
申请公布号 |
CN201975394U |
申请公布日期 |
2011.09.14 |
申请号 |
CN201020563851.4 |
申请日期 |
2010.10.18 |
申请人 |
重庆平伟实业股份有限公司 |
发明人 |
王艳明 |
分类号 |
H01L29/861(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/861(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种超高压半导体整流器,其特征在于:包括多层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体,多层硅芯片位于两铜引线端面之间,通过焊料与铜引线端面焊接,硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中,而整个超高压半导体整流器除两铜引线的另一端头外,其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内,其中,晶粒尺寸为36mil。 |
地址 |
400000 重庆市梁平县梁山镇皂角村双桂工业园区 |