发明名称 |
基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺 |
摘要 |
本发明涉及一种基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺。该光伏电池包括依次生长在半绝缘GaAs衬底上的N型GaAs导电层、隧穿结和GaAs电池,所述GaAs电池包括沿逐渐远离衬底的方向依次分布的P/N结和N型窗口层。其制备工艺为:以外延生长方法在半绝缘衬底上依次生长N型导电层、隧穿结、P/N结、N型窗口层及N型接触层形成光伏电池基体,其后在该光伏电池基体上加工形成隔离槽、正电极、负电极、减反射层以及电极引线,制得目标产物。本发明光伏电池的串联电阻低,输出电压高,光吸收及转换效率高,可作为高效激光光伏电池广泛应用,且其制备工艺简便,可有效节省器件加工时间和降低成本,满足规模化生产的需求。 |
申请公布号 |
CN102184999A |
申请公布日期 |
2011.09.14 |
申请号 |
CN201110083015.5 |
申请日期 |
2011.04.02 |
申请人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
发明人 |
赵春雨;董建荣;陆书龙;李奎龙;赵勇明;季莲;杨辉 |
分类号 |
H01L31/068(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/068(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种基于NPN结构的激光光伏电池,其特征在于:所述光伏电池包括依次生长在半绝缘衬底上的N型导电层、P/N结和N型窗口层,所述P/N结与N型导电层之间经隧穿结连接。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 |