半导体器件及形成方法、VDMOS晶体管及形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法、VDMOS晶体管及形成方法。其中半导体器件的形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心器件区和边缘区，所述半导体衬底上形成有外延层；在所述外延层上依次形成栅介质层和多晶硅层；刻蚀多晶硅层和栅介质层至露出所述外延层，形成多晶硅栅极，靠近边缘区的多晶硅栅极宽度最小；以所述多晶硅栅极为掩膜，对半导体衬底进行离子注入，在多晶硅栅极之间的外延层内形成阱区，所述相邻两阱区之间的距离为结距，所述最靠近边缘区的结距最短。本发明所述半导体器件结构及其形成方法、VDMOS晶体管及形成方法可以有效防止击穿电压发生在次边缘的阱区上，从而提高整个半导体器件的耐压能力。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心器件区和边缘区，所述半导体衬底上形成有外延层；在所述外延层上依次形成栅介质层和多晶硅层；刻蚀多晶硅层和栅介质层至露出所述外延层，形成多晶硅栅极，靠近边缘区的多晶硅栅极宽度最小；以所述多晶硅栅极为掩膜，对外延层进行离子注入，在多晶硅栅极之间的外延层内形成阱区，所述相邻两阱区之间的距离为结距，所述最靠近边缘区的结距最短。