| 发明名称 | 光致抗蚀剂及其使用方法 | ||
| 摘要 | 提供了包含低Tg组分的新型光致抗蚀剂且其特别适用于离子注入光刻应用。对于下层的无机表面例如SiON、氧化硅、氮化硅和其它无机表面，本发明优选的光致抗蚀剂能显示出良好的粘结能力。 | ||
| 申请公布号 | CN102184851A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN201010625170.0 | 申请日期 | 2010.12.15 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 发明人 | G·珀勒斯 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;G03F7/039(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 樊云飞 |
| 主权项 | 一种提供离子注入的半导体基材的方法，包含：提供半导体基材，所述半导体基材具有在其上涂覆的化学增强的正性作用的光致抗蚀剂组合物的浮雕图象，其中所述光致抗蚀剂包含1)树脂，2)光敏组分和3)具有比树脂1)至少低约5℃的Tg的树脂；和向所述基材施加离子。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||