| 发明名称 | 电极、半导体装置、及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种在p型SiC半导体上具有Ni/Ti/Al积层结构的电阻性电极的半导体装置，它是一种可以同时优化所述电阻性电极的接触阻抗与面粗度(表面的粗糙程度)两种特性的半导体装置。该半导体装置具有积层结构的电阻性电极(18)，该积层结构的电阻性电极(18)是由在p型碳化硅半导体区域(13)上以镍(Ni)层(21)、钛(Ti)层(22)、铝(Al)层(23)的顺序积层形成的。该电阻性电极(18)包含14～47原子％的镍元素、5～12原子％的钛元素以及35～74原子％的铝元素，同时，镍元素与钛元素的原子比为1～11。 | ||
| 申请公布号 | CN102187464A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN200980138316.4 | 申请日期 | 2009.10.06 |
| 申请人 | 本田技研工业株式会社;新电元工业株式会社 | 发明人 | 岩永健介;横山诚一;桥本英喜;野中贤一;佐藤雅;露口士夫 |
| 分类号 | H01L29/43(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/43(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人 | 郁旦蓉 |
| 主权项 | 一种具有p型碳化硅半导体区域以及在该p型碳化硅半导体区域上以镍层、钛层、铝层的顺序积层形成的电阻性电极的半导体装置，其特征在于：所述电阻性电极含有14～47原子％的镍元素、5～12原子％的钛元素、35～74原子％的铝元素，同时，镍元素与钛元素的原子比为1～11。 | ||
| 地址 | 日本国东京都港区南青山2丁目1番1号 | ||