一种利用多量子阱电子阻挡层增加发光效率的AlGaN基深紫外LED器件及制作方法

摘要

本发明公开了一种提高AlGaN基深紫外LED器件发光效率的方法。该方法采用多周期的AlGaN量子阱结构作为阻挡电子从有源区逃逸到p-AlGaN势垒屋的电子阻挡层。同普通的单层AlGaN电子阻挡层相比，多重AlGaN量子阱结构的电子阻挡层通过量子干涉效应，可以更有效地降低电子传输到p型层，从而增加电子的注入效率，提高LED器件的发光效率。

主权项

一种利用多量子阱电子阻挡层增加发光效率的ALGAN基深紫外发光二极管(LED)器件，器件结构包括AlN本征层、n型AlGaN底层、AlGaN多量子阱有源区、Al组分在30‑40％的p型AlGaN层和p型GaN帽层，其特征在于：AlGaN多量子阱有源区和Al组分在60‑80％的p型AlGaN层之间设有p型AlGaN多量子阱电子阻挡层；运用p型AlGaN多量子阱作为电子阻挡层，其电子阻挡能力要优于传统的单层p型AlGaN电子阻挡层。