| 发明名称 | 光电二极管阵列 | ||
| 摘要 | 光电二极管阵列(1)，由使被检测光入射的多个光检测通道(10)形成于具有n型半导体层(12)的n型的基板(2)而形成。光电二极管阵列(1)具备：在基板(2)的n型半导体层(12)上形成的p-型半导体层(13)、设在每个光检测通道(10)且一端部连接于信号导线(3)的电阻(4)、以及在多个光检测通道(10)之间形成的n型分离部(20)。p-型半导体层(13)在与基板(2)的界面构成pn结，对应于光检测通道，具有使因被检测光的入射而产生的载流子雪崩倍增的多个倍增区域(AM)。形成分离部(20)，使得p-型半导体层(13)的各倍增区域(AM)对应于各光检测通道(10)而形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101484999B | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN200780025307.5 | 申请日期 | 2007.07.03 |
| 申请人 | 浜松光子学株式会社 | 发明人 | 山村和久;里健一 |
| 分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L27/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种光电二极管阵列，其特征在于，由使被检测光入射的多个光检测通道形成于具有第1导电型的半导体层的基板而形成，该光电二极管阵列具备：所述基板；第2导电型的外延半导体层，形成于所述基板的第1导电型的所述半导体层上，在与该半导体层的界面构成pn结，并且，具有使因所述被检测光的入射而产生的载流子雪崩倍增的多个倍增区域，该各倍增区域和所述各光检测通道相互对应；以及多个电阻，具有2个端部，设在每个所述光检测通道，经由一所述端部而与所述外延半导体层电连接，并且经由另一所述端部而连接于信号导线；第2导电型的半导体层，形成于所述外延半导体层中且配置于光入射面一侧。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||