一种图形化衬底的工艺及其结构以及发光二极管芯片

摘要

本发明提供一种图形化衬底的工艺及其结构以及发光二极管芯片，其工艺包括如下步骤：步骤一、在用于生长半导体外延片的蓝宝石衬底上涂覆一层光刻胶；步骤二、通过曝光显影将光刻胶构图；步骤三、通过电子束蒸发台蒸镀或磁控溅射机台在光刻胶构图层上溅镀一层图形化的粗化结构；步骤四、去除光阻，留下图形化的粗化结构。本发明相对于现有技术中刻蚀衬底的工艺，具有不会损伤衬底、不需要专业的干法、湿法刻蚀设备的优点，可大幅度节约生产成本，提高生产效率，有效地避免衬底内部裂纹的产生，有助于提高后续芯片磊晶的质量和减少光的全反射，进而使后续产品更加稳定、亮度更高。本发明还公开一种图形化衬底的结构及发光二极管芯片。

主权项

一种图形化衬底的工艺，其特征在于包括以下步骤：步骤一、在用于生长半导体外延片的蓝宝石衬底上涂覆一层光刻胶；步骤二、通过曝光显影将光刻胶构图；步骤三、通过电子束蒸发台蒸镀或磁控溅射机台在光刻胶构图层上溅镀一层图形化的粗化结构；步骤四、去除光阻，留下图形化的粗化结构。