一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器

摘要

本专利公开了一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器，该石英容器由用99.99999％的高纯石英材料制成的石英塞、石英盒和石英环组成。石英塞是一个上部为圆锥体下部为带锥度圆柱体的中空的磨砂口塞子，石英盒为圆柱体杯状结构，石英盒的底部放置晶体生长源材料，石英环放置在源材料的上方，晶体生长用衬底放置在石英环上，如果有多片衬底，则用石英环将每片衬底相互隔开后叠加放入石英盒中，石英塞将石英盒口塞住密闭。这种石英容器可以解决碲镉汞等温气相外延中Hg损失的问题，从而提高材料的均匀性和外延面积，同时在一个石英容器里可以实现多片衬底的外延沉积。

主权项

一种用于晶体等温气相外延工艺的石英容器，它由石英塞(1)、石英盒(2)和石英环(3)组成，其特征在于：所述的石英塞(1)的上部分是一个圆锥体，下部分是一个带锥度圆柱体，圆柱体与圆锥体相连处的上部直径大于其下部直径，圆柱体的锥度为4‑6°，下部分带锥度圆柱体的表面磨砂处理，石英塞(1)中间是空的，其石英玻璃的壁厚为1‑2mm；所述的石英盒(2)为圆柱体杯状结构，杯的内部呈与石英塞(1)下部分同锥度的锥形圆柱体形状且杯口的直径比杯底的直径大，杯口部分磨砂处理，石英盒(2)的内径比所需生长晶体直径大2mm，高度为40～60mm，壁厚1‑2mm；所述的石英环(3)是厚度为5mm的圆环，环的外径与所需生长晶体的直径相同，环的内径比环的外径小2mm；石英盒(2)的底部放置晶体生长源材料(4)，石英环(3)放置在源材料(4)的上方，晶体生长用衬底(5)放置在石英环(3)上，如果有多片衬底，则用石英环将每片衬底相互隔开后叠加放入石英盒(2)中，石英塞(1)将石英盒(2)口塞住密闭。