提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管

摘要

一种提高电子注入效率的氮化镓系发光二极管，其包括：一衬底；一氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层制作在氮化镓成核层上；一n型接触层制作在缓冲层上，在该n型接触层的上面的一侧形成一台面；一下多周期n型电子耦合层制作在n型接触层上台面另一侧的上面；一下隧穿势垒层制作在下多周期n型电子耦合层上；一上多周期n型电子耦合层制作在下隧穿势垒层上；一上隧穿势垒层制作在上多周期n型电子耦合层上；一多周期活性发光层制作在上隧穿势垒层上；一负电极制作在n型接触层的台面上；一p型电子阻挡层制作在多周期活性发光层上；一p型接触层制作在p型电子阻挡层上；一正电极制作在p型接触层上，形成氮化镓系发光二极管的结构。

主权项

一种提高电子注入效率的氮化镓系发光二极管，其包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层，该缓冲层制作在氮化镓成核层上；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层上，在该n型接触层的上面的一侧形成一台面，该n型接触层由n型氮化镓构成；一下多周期n型电子耦合层，该下多周期n型电子耦合层制作在n型接触层上台面另一侧的上面；一下隧穿势垒层，该下隧穿势垒层制作在下多周期n型电子耦合层上；一上多周期n型电子耦合层，该上多周期n型电子耦合层制作在下隧穿势垒层上；一上隧穿势垒层，该上隧穿势垒层制作在上多周期n型电子耦合层上；一多周期活性发光层，该活性发光层制作在上隧穿势垒层上；一负电极，该负电极制作在n型接触层的台面上；一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在多周期活性发光层上；一p型接触层，该p型接触层制作在p型电子阻挡层上，该p型接触层由p型氮化镓构成；一正电极，该正电极制作在p型接触层上，形成氮化镓系发光二极管的结构。