发明名称 |
一种有机多层薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种有机多层薄膜的制备方法,属于有机多层薄膜制备技术领域。所述方法包括:在两个基片的金属电极上沉积不同的有机物薄膜;将两个基片的有机物薄膜层对准接触,并对至少一个基片加热;待至少一个基片温度进入预设温度范围后,对两个基片施加方向相反的压力。本发明通过在先完成金属电极的制作工艺后进行有机薄膜的低温生长,克服了现有金属电极制作工艺中高能金属原子或离子对有机分子薄膜性能的不利影响,在器件制作方面最大限度地提高了有机器件的性能。 |
申请公布号 |
CN102185109A |
申请公布日期 |
2011.09.14 |
申请号 |
CN201110084673.6 |
申请日期 |
2011.04.06 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
刘键 |
分类号 |
H01L51/00(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 11302 |
代理人 |
王建国 |
主权项 |
一种有机多层薄膜的制备方法,其特征在于,所述方法包括:在两个基片的金属电极上沉积不同的有机物薄膜;将两个基片的有机物薄膜层对准接触,并对至少一个基片加热;待至少一个基片温度进入预设温度范围后,对两个基片施加方向相反的压力。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |