发明名称 具有一体式导通孔及导通孔端子的半导体衬底以及相关联系统及方法
摘要 本发明揭示具有一体式导通孔及导通孔端子的半导体衬底以及相关联系统及方法。根据特定实施例的代表性方法包含:在半导体衬底中形成盲导通孔(140);将保护层(122)施加到所述导通孔的侧壁表面;及通过从所述导通孔的端表面选择性地移除衬底材料同时防止移除施加保护涂层所倚靠的衬底材料来形成端子开口(111)。所述方法可进一步包含将导电材料安置于所述导通孔及所述端子开口两者中以形成与所述导通孔中的导电材料为一体的导电端子。可接着移除邻近于所述端子的衬底材料以暴露所述端子,所述端子可接着连接到在所述衬底外部的导电结构。
申请公布号 CN102187452A 申请公布日期 2011.09.14
申请号 CN200980140926.8 申请日期 2009.10.13
申请人 美光科技公司 发明人 凯尔·K·柯比;库纳尔·R·帕雷克
分类号 H01L21/768(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 宋献涛
主权项 一种用于形成半导体组合件的方法,其包括:在半导体衬底中形成盲导通孔,所述导通孔包含侧壁表面及端表面;将保护层施加到所述导通孔的所述侧壁表面;通过在所述端表面处从所述导通孔选择性地移除衬底材料同时防止移除施加所述保护层所倚靠的衬底材料来形成端子开口;将导电材料安置于所述导通孔及所述端子开口两者中以形成与所述导通孔中的导电材料为一体的导电端子;移除邻近于所述端子的衬底材料以暴露所述端子;及将所述端子电连接到在所述衬底外部的导电结构。
地址 美国爱达荷州