低功率气态等离子体源

摘要

本发明涉及一种等离子源，该等离子源包括第一杆(3)，该第一杆形成四分之一波长的天线，被至少一个平行的杆环绕，该平行的杆形成耦合器(6、7、8)，且该平行的杆和所述第一杆的长度基本相同，该平行的杆设定成基准电压，所述耦合器杆是呈放射状地均匀地分布在第一杆周围，与第一杆的距离大约在四分之一波长的五分之一到四分之一波长的二十分之一之间。

主权项

一种等离子体源，其被高频信号激发，该等离子体源包括第一杆(3)，所述第一杆形成四分之一波长的天线，所述第一杆由形成耦合器(6、7、8)的至少一个平行的杆环绕，所述平行的杆具有与所述第一杆基本相同的长度且设定成基准电压，形成耦合器的所述杆放射状地围绕所述第一杆规则地分布，并且与所述第一杆的距离大约在所述四分之一波长的一半到所述四分之一波长的二十分之一，所述天线和所述耦合器以相同的方向取向。