发明名称 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法
摘要 一种调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法,其包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上依次制作一氮化镓成核层和一氮化镓缓冲层;步骤3:在氮化镓缓冲层上制作一n型氮化镓接触层,以硅烷作为n型掺杂剂;步骤4:在n型接触层上未刻蚀的上表面依次制作一n型电流扩展层、一活性发光层、一p型电子阻挡层和一p型接触层;步骤5:采用刻蚀的方法,在该p型接触层上面的一侧向下刻蚀,刻蚀深度到达n型氮化镓接触层中,使该n型氮化镓接触层的一侧形成一台面;步骤6:在n型接触层的台面上制作负电极;在p型接触层的上面制作正电极,完成氮化镓系发光二极管的制作。
申请公布号 CN102185052A 申请公布日期 2011.09.14
申请号 CN201110115383.3 申请日期 2011.05.05
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 马平;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽
分类号 H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汤保平
主权项 一种调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法,其包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上依次制作一氮化镓成核层和一氮化镓缓冲层;步骤3:在氮化镓缓冲层上制作一n型氮化镓接触层,以硅烷作为n型掺杂剂;步骤4:在n型接触层上未刻蚀的上表面依次制作一n型电流扩展层、一活性发光层、一p型电子阻挡层和一p型接触层;步骤5:采用刻蚀的方法,在该p型接触层上面的一侧向下刻蚀,刻蚀深度到达n型氮化镓接触层中,使该n型氮化镓接触层的一侧形成一台面;步骤6:在n型接触层的台面上制作负电极;在p型接触层的上面制作正电极,完成氮化镓系发光二极管的制作。
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号