发明名称 | 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法 | ||
摘要 | 一种调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法,其包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上依次制作一氮化镓成核层和一氮化镓缓冲层;步骤3:在氮化镓缓冲层上制作一n型氮化镓接触层,以硅烷作为n型掺杂剂;步骤4:在n型接触层上未刻蚀的上表面依次制作一n型电流扩展层、一活性发光层、一p型电子阻挡层和一p型接触层;步骤5:采用刻蚀的方法,在该p型接触层上面的一侧向下刻蚀,刻蚀深度到达n型氮化镓接触层中,使该n型氮化镓接触层的一侧形成一台面;步骤6:在n型接触层的台面上制作负电极;在p型接触层的上面制作正电极,完成氮化镓系发光二极管的制作。 | ||
申请公布号 | CN102185052A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
申请号 | CN201110115383.3 | 申请日期 | 2011.05.05 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 马平;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 |
分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 一种调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法,其包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上依次制作一氮化镓成核层和一氮化镓缓冲层;步骤3:在氮化镓缓冲层上制作一n型氮化镓接触层,以硅烷作为n型掺杂剂;步骤4:在n型接触层上未刻蚀的上表面依次制作一n型电流扩展层、一活性发光层、一p型电子阻挡层和一p型接触层;步骤5:采用刻蚀的方法,在该p型接触层上面的一侧向下刻蚀,刻蚀深度到达n型氮化镓接触层中,使该n型氮化镓接触层的一侧形成一台面;步骤6:在n型接触层的台面上制作负电极;在p型接触层的上面制作正电极,完成氮化镓系发光二极管的制作。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |