| 发明名称 | 一种多合体功率放大器及其实现方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多合体功率放大器及其实现方法，包括：Doherty功率放大器的峰值放大支路中包括射频开关，该射频开关用于控制峰值放大支路中末级峰值功放的导通；功率放大器的载波放大支路的末级载波功放是采用HVHBT器件，功率放大器的峰值放大支路的末级峰值功放是采用LDMOS器件。采用本发明，避免了峰值放大器提前导通时增大峰值功耗，同时提高了整个功放的效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102185568A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN201110110331.7 | 申请日期 | 2011.04.29 |
| 申请人 | 中兴通讯股份有限公司 | 发明人 | 陈化璋;刘建利;崔晓俊 |
| 分类号 | H03F3/20(2006.01)I;H03F1/02(2006.01)I | 主分类号 | H03F3/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 吴艳;龙洪 |
| 主权项 | 一种多合体功率放大器，其特征在于，多合体（Doherty）功率放大器的峰值放大支路中包括射频开关，该射频开关用于控制所述峰值放大支路中末级峰值功放的导通；其中，所述功率放大器的载波放大支路的末级载波功放是采用高压异质结双极晶体管（HVHBT）器件，所述功率放大器的峰值放大支路的末级峰值功放是采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件。 | ||
| 地址 | 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部 | ||