发明名称 一种发光二极管器件及其制造方法
摘要 一种发光二极管器件,包括至少一LED芯片和一电路板。该LED芯片具有一N极和一P极,在N极和P极的表面覆盖一电极层,其中,该N极和P极表面的电极层的厚度相同。该电路板的上表面覆盖一绝缘层,该绝缘层的上表面覆盖一导电层,在该导电层对应该LED芯片的N极的区域的上表面设置有一金属层,该金属层的厚度为LED芯片的N极与P极之间的高度差。该LED芯片倒装设置在该电路板的上,其中,该LED芯片的P极通过电极层与导电层连接,该LED芯片的N极通过电极层和金属层与导电层连接。相对于现有技术,本发明的发光器件中的电路板上对应该LED芯片的N极的区域的上表面设置一金属层,简化了LED芯片的设计及制作工艺,进一步提高了LED芯片的性能。
申请公布号 CN102185091A 申请公布日期 2011.09.14
申请号 CN201110076468.5 申请日期 2011.03.29
申请人 晶科电子(广州)有限公司 发明人 王瑞珍;赖燃兴;曹健兴;周玉刚;肖国伟;陈海英
分类号 H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/62(2010.01)I
代理机构 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人 罗毅萍
主权项 一种发光二极管器件,其特征在于:包括——至少一LED芯片,该LED芯片具有一N极和一P极,在该N极和P极的表面覆盖一电极层,其中,该N极和P极表面的电极层的厚度相同;——电路板,该电路板的上表面覆盖一绝缘层,该绝缘层的上表面覆盖一导电层,在该导电层对应该LED芯片的N极的区域的上表面设置有一金属层,该金属层的厚度为该LED芯片的N极与P极之间的高度差;该LED芯片倒装设置在该电路板的上,其中,该LED芯片的P极通过电极层与导电层连接,该LED芯片的N极通过电极层和金属层与导电层连接。
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