发明名称 |
一种二次制绒法制备晶体硅太阳能电池的工艺 |
摘要 |
本发明涉及一种用于晶体硅太阳能电池片的制备方法。它具体有如下步骤:1)采用湿法制绒后,再经过反应离子刻蚀、钝化、去除离子进行二次制绒;2)将步骤(1)所得硅片扩散,再依次采用周边刻蚀、去磷硅玻璃、氢钝化及沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结。本发明提出的晶体硅太阳能电池片的制备方法,主要是提供了一种可以增加光在晶体硅体内的光程,减少光反射损失方法;采用本发明的方法制成的晶体硅片表面的反射率较低,在沉积氮化硅膜前采用氢钝化可以减少硅悬空键,形成Si-H,减少表面态,提高短路电流,达到提高转化效率的目的。 |
申请公布号 |
CN102185035A |
申请公布日期 |
2011.09.14 |
申请号 |
CN201110113900.3 |
申请日期 |
2011.05.04 |
申请人 |
山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
发明人 |
任现坤;姜言森;杨青天;刘鹏;李玉花;徐振华;程亮;王兆光;张春艳 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
济南舜源专利事务所有限公司 37205 |
代理人 |
宋玉霞 |
主权项 |
一种二次制绒法制备晶体硅太阳能电池的工艺,步骤包括:①一次制绒 将硅片进行化学腐蚀去除晶体硅表面损伤层,然后进行湿法制绒及化学清洗;②二次制绒及钝化 将上述硅片再经过反应离子刻蚀进行二次制绒;③二次制绒后的硅片依次进行钝化、去除离子、扩散、边缘绝缘、去磷硅玻璃、氢钝化及沉积氮化硅膜、丝网印刷、烧结等步骤。 |
地址 |
250103 山东省济南市经十东路30766号力诺科技园 |