高密度等离子体工艺中蚀刻速率偏移的减小

摘要

本发明涉及高密度等离子体工艺中蚀刻速率偏移的减小。本发明提供通过向处理腔室提供时效前驱物气流来时效处理腔室。通过施加至少7500W的源功率，而由所述时效前驱物形成高密度等离子体，其中在所述处理腔室的顶部分配有大于70％的源功率。利用所述高密度等离子体沉积在一个点处具有至少的厚度的所述时效层。向处理腔室中顺序传递多个衬底中的每个衬底以在所述多个衬底的每个衬底上执行包括蚀刻的工艺。在顺序传递衬底之间清洁所述处理腔室。

主权项

一种在多个衬底上沉积膜的方法，该方法包括：对处理腔室进行时效处理；向所述处理腔室中顺序传送所述多个衬底中的每个衬底，以在所述多个衬底中的每个衬底上执行包括至少一个蚀刻子步骤的沉积工艺；以及在顺序传送所述多个衬底中的每个衬底之间清洁所述处理腔室，其中在顺序传送所述多个衬底中的每个衬底之间清洁所述处理腔室包括：通过由卤素前驱物流形成高密度等离子体，执行所述处理腔室的局部清洁；然后，停止所述卤素前驱物流；然后，利用来自加热气体的等离子体加热所述处理腔室；以及然后，通过由卤素前驱物流形成高密度等离子体，完成所述处理腔室的清洁。