发明名称 | 多晶石墨烯薄膜制备工艺及透明电极和制备石墨烯基器件 | ||
摘要 | 本发明描述了一种多晶石墨烯薄膜、制备多晶石墨烯薄膜的工艺以及基于多晶石墨烯薄膜的透明电极和电子器件的方法。该发明弥补了透明氧化物易脆及柔性导电聚合物薄膜导电性差的不足,有望成为一种新型柔性透明导电薄膜,并在有机电致发光显示、有机电存储、有机太阳能电池等光电功能器件中有着潜在应用。 | ||
申请公布号 | CN102181843A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
申请号 | CN201110096788.7 | 申请日期 | 2011.04.18 |
申请人 | 南昌大学 | 发明人 | 王立;杜鑫利;张学富 |
分类号 | C23C16/26(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/26(2006.01)I |
代理机构 | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人 | 刘凌峰 |
主权项 | 一种多晶石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于采用化学气相沉积或物理方法将碳原子从气体(液体)或者固体碳源中释放出而生长在催化层上形成多晶石墨烯薄膜。 | ||
地址 | 330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号 |