| 发明名称 | 一种石墨烯的生长方法以及石墨烯 | ||
| 摘要 | 一种石墨烯的生长方法，包括如下步骤：提供III族氮化物衬底；将所述III族氮化物衬底置于平板加热器的中心区域；向III族氮化物衬底表面通入非氧化性气体；加热III族氮化物衬底；向III族氮化物衬底表面通入含碳物质作为碳源，进行石墨烯的生长；停止通入碳源，持续通入非氧化性气体保护并降温至室温。 | ||
| 申请公布号 | CN102181924A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN201110078118.2 | 申请日期 | 2011.03.30 |
| 申请人 | 苏州纳维科技有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 刘争晖;王建峰;钟海舰;任国强;蔡德敏;徐耿钊;樊英民;徐科 |
| 分类号 | C30B25/18(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 翟羽 |
| 主权项 | 一种石墨烯的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：提供III族氮化物衬底；将所述III族氮化物衬底置于加热器的中心区域；向III族氮化物衬底表面通入非氧化性气体；加热III族氮化物衬底；向III族氮化物衬底表面通入含碳物质作为碳源，进行石墨烯的生长；停止通入碳源，持续通入非氧化性气体保护并降温至室温。 | ||
| 地址 | 215125 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 | ||