| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件具有：包括光接收元件的半导体衬底、在该半导体衬底上形成的氧化硅膜、在该氧化硅膜上形成的多个布线层间膜、以及在最上层布线层间膜上形成的其中Si-H浓度小于N-H浓度的硅氮化物膜，其中该多个布线层间膜中的每一个都包括作为掩埋铜的结果而形成的布线层。 | ||
| 申请公布号 | CN101425525B | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN200810173822.4 | 申请日期 | 2008.10.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 大塚真理;上条浩幸;原川秀明 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括光接收元件和外围电路部分；氧化硅膜，在该半导体衬底上形成；多个布线层间膜，在该氧化硅膜上形成，并且每一个布线层间膜都包括作为掩埋铜的结果而形成的布线层；以及硅氮化物膜，在所述光接收元件和所述外围电路部分的最上层的布线层间膜上形成，该硅氮化物膜中Si‑H浓度比N‑H浓度小，并且该硅氮化物膜中Si‑H浓度与N‑H浓度之间的关系抑制所述光接收元件中的光衰减。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||