发光二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括衬底以及位于所述衬底上的缓冲层、非掺层、n型半导体层、有源层、p型半导体层以及电流扩散层；所述发光二极管还包括设置于所述n型半导体层内部的第一插入层和/或设置于所述n型半导体层与有源层之间的第二插入层，其中，所述第一插入层和第二插入层由至少一层非掺杂AlxInyGa1-x-yN层和/或至少一层掺Si的AlxInyGa1-x-yN层构成，0≤x＜0.2，0≤y＜0.2。在n型区域电流注入时，所述插入层可起到缓冲的作用，防止电子扩散到p型区域，提高电子和空穴的符合效率，从而提高发光二极管的发光亮度；此外，所述插入层可形成类似充放电的效果，从而有效的提高了材料抵抗静电的能力。

主权项

一种发光二极管，包括：衬底；以及位于所述衬底上的缓冲层、非掺层、n型半导体层、有源层、p型半导体层以及电流扩散层；其特征在于，还包括设置于所述n型半导体层内部的第一插入层和/或设置于所述n型半导体层与有源层之间的第二插入层，其中，所述第一插入层和第二插入层由至少一层非掺杂AlxInyGa1‑x‑yN层和/或至少一层掺Si的AlxInyGa1‑x‑yN层构成，0≤x＜0.2，0≤y＜0.2。