ZnFe₂O₄铁氧体薄膜制备方法

摘要

ZnFe2O4铁氧体薄膜制备方法，属于电子材料技术领域。本发明包括下述步骤：1)ZnFe2O4铁氧体靶材的制备：采用氧化物陶瓷工艺，以Fe2O3、ZnO为原料，按分子式ZnFe2O4配料，球磨，烘干后预烧；二次球磨烘干，加入10％的聚乙烯醇造粒，压制成圆饼样品，然后升温至1300℃，在空气中保温，随后降温至300℃，然后随炉自然冷却，最终获得致密的烧结体靶材；2)ZnFe2O4铁氧体薄膜的制备：将单晶Si和Si基片按照乙醇→丙酮→乙醇的清洗顺序清洗，采用磁控溅射薄膜，溅射背底气压低于4.0×10-4Pa，溅射过程中，基片不加热，所述单晶Si为111取向，所述Si基片为100取向；3)薄膜的后期热处理：薄膜制备后，烧结退火，升温，保温，然后随炉自然冷却至室温。本发明能够实现原子沿{111}面的取向生长。

主权项

ZnFe2O4铁氧体薄膜制备方法，其特征在于，包括下述步骤：1)ZnFe2O4铁氧体靶材的制备：采用氧化物陶瓷工艺，以Fe2O3、ZnO为原料，按分子式ZnFe2O4配料，球磨，烘干后预烧；二次球磨烘干，加入10％的聚乙烯醇造粒，压制成圆饼样品，然后升温至1300℃，在空气中保温，随后降温至300℃，然后随炉自然冷却，最终获得致密的烧结体靶材；2)ZnFe2O4铁氧体薄膜的制备：将单晶Si和Si基片按照乙醇→丙酮→乙醇的清洗顺序清洗，采用磁控溅射薄膜，溅射背底气压低于4.0×10‑4Pa，溅射过程中，基片不加热，所述单晶Si为111取向，所述Si基片为100取向；3)薄膜的后期热处理：薄膜制备后，烧结退火，升温，保温，然后随炉自然冷却至室温。