用硬掩模及两次曝光形成半导体元件的接触及导通孔

摘要

基于硬掩模(233)可形成接触元件，而基于第一阻剂掩模(210)和基于第二阻剂掩模(211)可图样化该硬掩模(233)，藉此可定义可描述接触元件之最终设计尺寸的适当交叉区域(234)。结果，可用限制较少之约束基于黄光微影制程来形成每个阻剂掩模，因为可选择横向尺寸中之至少一者作为两个阻剂掩模中之每一的非关键尺寸。

主权项

一种方法，其包含下列步骤：在形成于半导体元件之材料层上的硬掩模层上方形成第一阻剂掩模；基于该第一阻剂掩模在该硬掩模层中形成第一开孔，该第一开孔在第一横向有第一尺寸以及在不同于该第一横向的第二横向有第二尺寸，该第一尺寸小于该第二尺寸；在该硬掩模层上方形成第二阻剂掩模，该第二阻剂掩模有与该第一开孔一起定义交叉区域的第二开孔；以及基于该交叉区域在该材料层中形成接触开孔。