| 发明名称 | 具有场增强排列的存储器装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种存储器装置，其包含：一金属氧化物存储器元件，位于具有一第一电压的一第一电极与具有一第二电压的一第二电极之间的一电流路径中；一非传导元件，邻近于该金属氧化物存储器元件；一传导元件，位于该第一电极与该第二电极之间的该电流路径中，该传导元件具有与该第一电极距离一第一距离的一第一部分以及与该第二电极距离一第二距离的一第二部分，该第一距离大于该第二距离，其中该金属氧化物存储器元件位于该传导元件的该第一部分与该第一电极之间，而该非传导元件位于该传导元件的该第二部分与该第一电极之间。本发明的具有场增强排列的存储器装置，其在形成存储器单元的时候对高电流需求较小。 | ||
| 申请公布号 | CN102184744A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN201110030437.6 | 申请日期 | 2011.01.19 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 简维志;陈彦儒;陈逸舟 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种存储器装置，其特征在于，包含：一金属氧化物存储器元件，位于具有一第一电压的一第一电极与具有一第二电压的一第二电极之间的一电流路径中；一非传导元件，邻近于该金属氧化物存储器元件；一传导元件，位于该第一电极与该第二电极之间的该电流路径中，该传导元件具有与该第一电极距离一第一距离的一第一部分以及与该第二电极距离一第二距离的一第二部分，该第一距离大于该第二距离，其中该金属氧化物存储器元件位于该传导元件的该第一部分与该第一电极之间，而该非传导元件位于该传导元件的该第二部分与该第一电极之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||