| 发明名称 | 发光二极管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种发光二极管及其制备方法，所述发光二极管包括衬底，所述衬底包括接触孔；位于所述衬底一侧的第一导电半导体层，覆盖所述第一导电半导体层的有源层，覆盖所述有源层的第二导电半导体层，所述第一导电半导体层邻近所述有源层的一侧表面形成有多个高密度凸起，所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层具有相反掺杂类型；位于所述衬底另一侧的电极层，所述电极层通过所述接触孔与所述第一导电半导体层接触。本发明的发光二极管既能够增加发光面积又能降低功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN102185070A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN201110117040.0 | 申请日期 | 2011.05.06 |
| 申请人 | 西安神光安瑞光电科技有限公司 | 发明人 | 肖德元;王津洲 |
| 分类号 | H01L33/24(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/24(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种发光二极管，其特征在于，包括衬底，所述衬底包括接触孔；位于所述衬底一侧的第一导电半导体层，覆盖所述第一导电半导体层的有源层，覆盖所述有源层的第二导电半导体层，所述第一导电半导体层邻近所述有源层的一侧表面形成有多个凸起，所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层具有相反掺杂类型；位于所述衬底另一侧的电极层，所述电极层通过所述接触孔与所述第一导电半导体层接触。 | ||
| 地址 | 710100 陕西省西安市国家民用航天产业基地工业二路55号 | ||