一种P型超大晶粒多晶硅太阳电池表面织构的制造方法

摘要

本发明公开了一种P型超大晶粒多晶硅太阳电池表面织构的制造方法，按如下步骤操作：(a)将超大晶粒多晶硅清洗干净，烘干后，采用各向导性腐蚀方法，放入各向异性腐蚀液中进行腐蚀，各向异性腐蚀后的硅片腐蚀深度为3~10μm；(b)对于硅片小晶粒部分，采用各向同性腐蚀方法，将硅片放入各向同性腐蚀液进行腐蚀，各向同性腐蚀后的硅片总的腐蚀深度为5~15μm。本发明的表面织构方法，一方面大大降低了硅片的反射率，另一方面避免了大晶粒多晶硅绒面不均匀，色差明显的问题。超大晶粒部分和边缘小晶粒部分颜色差异降低，反射率相近，并且两者都接近单晶制绒后的反射率，光吸收效果好。

主权项

一种P型超大晶粒多晶硅太阳电池表面织构的制造方法，所述P型超大晶粒多晶硅片中超大晶粒部分面积占整个硅片面积的85~100%，其余为小晶粒部分，所述超大晶粒的粒径为120mm~220mm，其特征在于，制造方法按如下步骤操作：(a)将超大晶粒多晶硅清洗干净，烘干后，采用各向导性腐蚀方法，放入各向异性腐蚀液中进行腐蚀，各向异性腐蚀后的硅片腐蚀深度为3~10um；(b)将步骤(a)中腐蚀后的超大晶粒多晶硅清洗后，采用各向同性腐蚀方法，将硅片放入各向同性腐蚀液进行腐蚀，各向同性腐蚀后的硅片总的腐蚀深度为5~15um。