供能量储存装置用之电极及制备彼之方法

主权项

一种供能量储存装置用之电极，其包括作为电极活性材料之下式(1a)之聚胺基喹@sIMGCHAR!d10202.TIF@eIMG!啉化合物@sIMGTIF!d10060.TIF@eIMG!其中R1及R2个别表示氢原子、羟基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Y取代之苯基、可经Y取代之吡啶基、可经Y取代之联苯基、可经Y取代之萘基、可经Y取代之噻吩基、可经Y取代之吡咯基、可经Y取代之呋喃基或可经Y取代之稠合杂芳基，其限制条件为当R1及R2个别系为前文定义之苯基、吡啶基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基时，此等基团可经由单键连接；R3及R4个别表示氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Y取代之苯基、可经Y取代之吡啶基、可经Y取代之联苯基、可经Y取代之萘基、可经Y取代之噻吩基、可经Y取代之吡咯基、可经Y取代之呋喃基或可经Y取代之稠合杂芳基，其限制条件为当R3及R4个别系为前文定义之苯基、吡啶基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基时，此等基团可经由单键连接；X1系表示-NH-R5-NH-或-NH-R6-，其中R5及R6个别表示C1-C10伸烷基、-C(O)CH2-、-CH2C(O)-、可经Y取代之二价苯环、可经Y取代之二价吡啶环、可经Y取代之二价联苯基、可经Y取代之二价萘环、可经Y取代之二价噻吩环、可经Y取代之二价吡咯环、可经Y取代之呋喃环或可经Y取代之稠合杂环，其中Y系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之吡啶基、可经Z取代之联苯基、可经Z取代之萘基、可经Z取代之噻吩基、可经Z取代之吡咯基、可经Z取代之呋喃基或可经Z取代之稠合杂芳基，其限制条件为若Y系二或多个，则Y可相同或相异，其中Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基，其限制条件为若Z系为二或多个，则Z可相同或相异；且n系为2或更大之整数。如申请专利范围第1项之电极，其中R1及R2个别表示下式(2)之基团@sIMGTIF!d10061.TIF@eIMG!其中R7至R11个别表示氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C4氰基烷基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之萘基或可经Z取代之噻吩基，其中Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基。如申请专利范围第1项之电极，其中R1及R2个别表示下式(3)之基团@sIMGTIF!d10062.TIF@eIMG!其中R12至R18个别表示各取代于该式之环的任意位置的氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之萘基或可经Z取代之噻吩基，其中Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基。如申请专利范围第1项之电极，其中R1及R2个别表示下式(4)之基团@sIMGTIF!d10063.TIF@eIMG!其中R19至R21个别表示各取代于该式之环的任意位置的氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之萘基或可经Z取代之噻吩基，其中Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基；且A1系表示NH、O或S。如申请专利范围第1项之电极，其中R1及R2个别表示下式(5)之基团@sIMGTIF!d10064.TIF@eIMG!其中R22系表示卤原子或氰基，且R23至R26个别表示氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之萘基或可经Z取代之噻吩基，其中Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基。如申请专利范围第1至5项中任一项之电极，其中R5系表示下式(6)之基团@sIMGTIF!d10065.TIF@eIMG!其中R27至R30个别表示各取代于该式之环的任意位置的氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之萘基或可经Z取代之噻吩基，其中Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基。如申请专利范围第1至5项中任一项之电极，其中R5系表示下式(7)之基团@sIMGTIF!d10066.TIF@eIMG!其中R31至R32个别表示各取代于该式之环的任意位置的氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之萘基或可经Z取代之噻吩基，其中Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基；且W1系表示NH、O或S。如申请专利范围第1至5项中任一项之电极，其中R5系表示下式(8)之基团@sIMGTIF!d10067.TIF@eIMG!其中R33至R34个别表示各取代于该式之环的任意位置的氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之萘基或可经Z取代之噻吩基，其中Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基；且Q1系表示NH、O或S。如申请专利范围第1至5项中任一项之电极，其中R5系表示下式(9)之基团@sIMGTIF!d10068.TIF@eIMG!其中R35至R40个别表示各取代于该式之环的任意位置的氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之萘基或可经Z取代之噻吩基，其中Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基。如申请专利范围第1至5项中任一项之电极，其中R6系表示下式(10)之基团@sIMGTIF!d10069.TIF@eIMG!其中R41至R44个别表示各取代于该式之环的任意位置的氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之萘基或可经Z取代之噻吩基，其中Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基。如申请专利范围第1至5项中任一项之电极，其中R6系表示下式(11)之基团@sIMGTIF!d10070.TIF@eIMG!其中R45至R46个别表示各取代于该式之环的任意位置的氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之萘基或可经Z取代之噻吩基，其中Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基；且W2系表示NH、O或S。如申请专利范围第1至5项中任一项之电极，其中R6系表示下式(12)之基团@sIMGTIF!d10071.TIF@eIMG!其中R47至R48个别表示各取代于该式之环的任意位置的氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之萘基或可经Z取代之噻吩基，其中Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基；且Q2系表示NH、O或S。如申请专利范围第1至5项中任一项之电极，其中R6系表示下式(13)之基团@sIMGTIF!d10072.TIF@eIMG!其中R49至R54个别表示各取代于该式之环的任意位置的氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之萘基或可经Z取代之噻吩基，其中Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基。如申请专利范围第1项之电极，其中经由单键连接R1及R2所形成之基团系由式(14)表示@sIMGTIF!d10073.TIF@eIMG!其中A2各为C或N，R55至R62个别表示氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之萘基或可经Z取代之噻吩基，其中Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基，其限制条件为当A2表示N时，R58及R59两者皆不存在。一种供能量储存装置用之电极，其包含下式(1b)之聚胺基喹@sIMGCHAR!d10203.TIF@eIMG!啉化合物作为电极活性材料@sIMGTIF!d10074.TIF@eIMG!其中R1’及R2’系接合以形成-CH2CH2CH2-，-CH2CH2O-，-OCH2CH2-，-CH2OCH2-，-OCH2O-，-CH2CH2S-，-SCH2CH2-，-CH2SCH2-，-CH2CH2N(R')-，-N(R')CH2CH2-，-CH2N(R')CH2-，-CH2CH2CH2CH2-，-CH2CH2CH2O-，-OCH2CH2CH2-，-CH2CH2OCH2-，-CH2OCH2CH2-，-CH2OCH2O-，-OCH2CH2O-，-SCH2CH2S-，-OCH2CH2S-，-SCH2CH2O-，-CH2CH=CH-，-CH=CHCH2-，-OCH=CH-，-CH=CHO-，-SCH=CH-，-CH=CHS-，-N(R')CH=CH-，-CH=CHN(R')-，-OCH=N-，-N=CHO-，-SCH=N-，-N=CHS-，-N(R')CH=N-，-N=CHN(R')-，-N(R')N=CH-，-CH=N(R')N-，-CH=CHCH=CH-，-OCH2CH=CH-，-CH=CHCH2O-，-N=CHCH=CH-，-CH=CHCH=N-，-N=CHCH=N-，-N=CHN=CH-，或-CH=NCH=N-其中键结于此等基团之碳原子的氢原子可经Y所取代，且R’系表示氢原子、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10氰基烷基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之吡啶基、可经Z取代之联苯基、可经Z取代之萘基、可经Z取代之噻吩基、可经Z取代之吡咯基、可经Z取代之呋喃基或可经Z取代之稠合杂芳基；R3及R4个别表示氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Y取代之苯基、可经Y取代之吡啶基、可经Y取代之联苯基、可经Y取代之萘基、可经Y取代之噻吩基、可经Y取代之吡咯基、可经Y取代之呋喃基或可经Y取代之稠合杂芳基，其限制条件为当R3及R4个别系为前文定义之苯基、吡啶基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基时，此等基团可经由单键连接；且X1系表示-NH-R5-NH-或-NH-R6-，其中R5及R6个别表示C1-C10伸烷基、-C(O)CH2-、-CH2C(O)-、可经Y取代之二价苯环、可经Y取代之二价吡啶环、可经Y取代之二价联苯基、可经Y取代之二价萘环、可经Y取代之二价噻吩环、可经Y取代之二价吡咯环、可经Y取代之呋喃环或可经Y取代之稠合杂环；Y系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之吡啶基、可经Z取代之联苯基、可经Z取代之萘基、可经Z取代之噻吩基、可经Z取代之吡咯基、可经Z取代之呋喃基或可经Z取代之稠合杂芳基，其限制条件为若Y系二或多个，则Y可相同或相异；Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基，其限制条件为若Z系为二或多个，则Z可相同或相异；且n系为2或更大之整数。一种供能量储存装置用之电极，其包括下式(1c)之聚胺基喹@sIMGCHAR!d10204.TIF@eIMG!啉化合物作为电极活性材料@sIMGTIF!d10075.TIF@eIMG!其中R1及R2个别表示氢原子、羟基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Y取代之苯基、可经Y取代之吡啶基、可经Y取代之联苯基、可经Y取代之萘基、可经Y取代之噻吩基、可经Y取代之吡咯基、可经Y取代之呋喃基或可经Y取代之稠合杂芳基，其限制条件为当R1及R2个别系为前文定义之苯基、吡啶基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基时，此等基团可经由单键连接；R3’及R4’系接合以形成-CH2CH2CH2-，-CH2CH2O-，-OCH2CH2-，-CH2OCH2-，-OCH2O-，-CH2CH2S-，-SCH2CH2-，-CH2SCH2-，-CH2CH2N(R')-，-N(R')CH2CH2-，-CH2N(R')CH2-，-CH2CH2CH2CH2-，-CH2CH2CH2O-，-OCH2CH2CH2-，-CH2CH2OCH2-，-CH2OCH2CH2-，-CH2OCH2O-，-OCH2CH2O-，-SCH2CH2S-，-OCH2CH2S-，-SCH2CH2O-，-CH2CH=CH-，-CH=CHCH2-，-OCH=CH-，-CH=CHO-，-SCH=CH-，-CH=CHS-，-N(R')CH=CH-，-CH=CHN(R')-，-OCH=N-，-N=CHO-，-SCH=N-，-N=CHS-，-N(R')CH=N-，-N=CHN(R')-，-N(R')N=CH-，-CH=N(R')N-，-CH=CHCH=CH-，-OCH2CH=CH-，-CH=CHCH2O-，-N=CHCH=CH-，-CH=CHCH=N-，-N=CHCH=N-，-N=CHN=CH-，或-CH=NCH=N-其中键结于此等基团之碳原子的氢原子可经Y所取代，且R’系表示氢原子、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10氰基烷基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之吡啶基、可经Z取代之联苯基、可经Z取代之萘基、可经Z取代之噻吩基、可经Z取代之吡咯基、可经Z取代之呋喃基或可经Z取代之稠合杂芳基；X1系表示-NH-R5-NH-或-NH-R6-，其中R5及R6个别表示C1-C10伸烷基、-C(O)CH2-、-CH2C(O)-、可经Y取代之二价苯环、可经Y取代之二价吡啶环、可经Y取代之二价联苯基、可经Y取代之二价萘环、可经Y取代之二价噻吩环、可经Y取代之二价吡咯环、可经Y取代之呋喃环或可经Y取代之稠合杂环；Y系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之吡啶基、可经Z取代之联苯基、可经Z取代之萘基、可经Z取代之噻吩基、可经Z取代之吡咯基、可经Z取代之呋喃基或可经Z取代之稠合杂芳基，其限制条件为若Y系二或多个，则Y可相同或相异；Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基，其限制条件为若Z系为二或多个，则Z可相同或相异；且n系为2或更大之整数。一种供能量储存装置用之电极，其包括下式(1d)之聚胺基喹@sIMGCHAR!d10205.TIF@eIMG!啉化合物作为电极活性材料@sIMGTIF!d10076.TIF@eIMG!其中R1’及R2’系接合以形成-CH2CH2CH2-，-CH2CH2O-，-OCH2CH2-，-CH2OCH2-，-OCH2O-，-CH2CH2S-，-SCH2CH2-，-CH2SCH2-，-CH2CH2N(R')-，-N(R')CH2CH2-，-CH2N(R')CH2-，-CH2CH2CH2CH2-，-CH2CH2CH2O-，-OCH2CH2CH2-，-CH2CH2OCH2-，-CH2OCH2CH2-，-CH2OCH2O-，-OCH2CH2O-，-SCH2CH2S-，-OCH2CH2S-，-SCH2CH2O-，-CH2CH=CH-，-CH=CHCH2-，-OCH=CH-，-CH=CHO-，-SCH=CH-，-CH=CHS-，-N(R')CH=CH-，-CH=CHN(R')-，-OCH=N-，-N=CHO-，-SCH=N-，-N=CHS-，-N(R')CH=N-，-N=CHN(R')-，-N(R')N=CH-，-CH=N(R')N-，-CH=CHCH=CH-，-OCH2CH=CH CH=CHCH2O-，-N=CHCH=CH-，-CH=CHCH=N-，-N=CHCH=N-，-N=CHN=CH-，或-CH=NCH=N-其中键结于此等基团之碳原子的氢原子可经Y所取代，且R’系表示氢原子、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10氰基烷基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之吡啶基、可经Z取代之联苯基、可经Z取代之萘基、可经Z取代之噻吩基、可经Z取代之吡咯基、可经Z取代之呋喃基或可经Z取代之稠合杂芳基；R3’及R4’系接合以形成-CH2CH2CH2-，-CH2CH2O-，-OCH2CH2-，-CH2OCH2-，-OCH2O-，-CH2CH2S-，-SCH2CH2-，-CH2SCH2-，-CH2CH2N(R')-，-N(R')CH2CH2-，-CH2N(R')CH2-，-CH2CH2CH2CH2-，-CH2CH2CH2O-，-OCH2CH2CH2-，-CH2CH2OCH2-，-CH2OCH2CH2-，-CH2OCH2O-，-OCH2CH2O-，-SCH2CH2S-，-OCH2CH2S-，-SCH2CH2O-，-CH2CH=CH-，-CH=CHCH2-，-OCH=CH-，-CH=CHO-，-SCH=CH-，-CH=CHS-，-N(R')CH=CH-，-CH=CHN(R')-，-OCH=N-，-N=CHO-，-SCH=N-，-N=CHS-，-N(R')CH=N-，-N=CHN(R')-，-N(R')N=CH-，-CH=N(R')N-，-CH=CHCH=CH-，-OCH2CH=CH-，-CH=CHCH2O-，-N=CHCH=CH-，-CH=CHCH=N-，-N=CHCH=N-，-N=CHN=CH-，或-CH=NCH=N-其中键结于此等基团之碳原子的氢原子可经Y所取代，且R’系表示氢原子、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10氰基烷基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之吡啶基、可经Z取代之联苯基、可经Z取代之萘基、可经Z取代之噻吩基、可经Z取代之吡咯基、可经Z取代之呋喃基或可经Z取代之稠合杂芳基；X1系表示-NH-R5-NH-或-NH-R6-，其中R5及R6个别表示C1-C10伸烷基、-C(O)CH2-、-CH2C(O)-、可经Y取代之二价苯环、可经Y取代之二价吡啶环、可经Y取代之二价联苯基、可经Y取代之二价萘环、可经Y取代之二价噻吩环、可经Y取代之二价吡咯环、可经Y取代之呋喃环或可经Y取代之稠合杂环；Y系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之吡啶基、可经Z取代之联苯基、可经Z取代之萘基、可经Z取代之噻吩基、可经Z取代之吡咯基、可经Z取代之呋喃基或可经Z取代之稠合杂芳基，其限制条件为若Y系二或多个，则Y可相同或相异；Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基，其限制条件为若Z系为二或多个，则Z可相同或相异；且n系为2或更大之整数。如申请专利范围第15或17项之电极，其中藉接合R1’及R2’所形成之基团系具有通式(15)@sIMGTIF!d10077.TIF@eIMG!其中A3系表示O或S，且R63至R66系个别表示氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之萘基或可经Z取代之噻吩基，其中Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基。如申请专利范围第16或17项之电极，其中藉接合R3’及R4’所形成之基团系具有通式(16)@sIMGTIF!d10078.TIF@eIMG!其中A4系表示O或S，且R67至R70系个别表示氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之萘基或可经Z取代之噻吩基，其中Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基。如申请专利范围第16或17项之电极，其中藉接合R3’及R4’所形成之基团系具有通式(17)@sIMGTIF!d10079.TIF@eIMG!其中R71及R72系个别表示氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之萘基或可经Z取代之噻吩基，其中Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基。一种能量储存装置，其包含如申请专利范围第1至20项中任一项之供能量储存装置用之电极。一种制造如申请专利范围第1项之供能量储存装置用之电极之方法，该方法系包含在集流器电极上施加并构建由前式(1a)所示之聚胺基喹@sIMGCHAR!d10207.TIF@eIMG!啉化合物所制得之电极活性材料。一种制造如申请专利范围第15项之供能量储存装置用之电极之方法，该方法系包含在集流器电极上施加并构建由前式(1b)所示之聚胺基喹@sIMGCHAR!d10206.TIF@eIMG!啉化合物所制得之电极活性材料。一种制造如申请专利范围第16项之供能量储存装置用之电极之方法，该方法系包含在集流器电极上施加并构建由前式(1c)所示之聚胺基喹@sIMGCHAR!d10208.TIF@eIMG!啉化合物所制得之电极活性材料。一种制造如申请专利范围第17项之供能量储存装置用之电极之方法，该方法系包含在集流器电极上施加并构建由前式(1d)所示之聚胺基喹@sIMGCHAR!d10209.TIF@eIMG!啉化合物所制得之电极活性材料。一种制造如申请专利范围第1项之供能量储存装置用之电极之方法，该方法系包含藉着于集流器电极上进行电解聚合而形成式(18a)所示之胺基喹@sIMGCHAR!d10210.TIF@eIMG!啉化合物@sIMGTIF!d10080.TIF@eIMG!其中R1及R2个别表示氢原子、羟基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Y取代之苯基、可经Y取代之吡啶基、可经Y取代之联苯基、可经Y取代之萘基、可经Y取代之噻吩基、可经Y取代之吡咯基、可经Y取代之呋喃基或可经Y取代之稠合杂芳基，其限制条件为当R1及R2个别系为前文定义之苯基、吡啶基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基时，此等基团可经由单键连接；R3及R4个别表示氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Y取代之苯基、可经Y取代之吡啶基、可经Y取代之联苯基、可经Y取代之萘基、可经Y取代之噻吩基、可经Y取代之吡咯基、可经Y取代之呋喃基或可经Y取代之稠合杂芳基，其限制条件为当R3及R4个别系为前文定义之苯基、吡啶基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基时，此等基团可经由单键连接；X2系表示-NH-R73-NH2或-NH-R74，其中R73系表示C1-C10伸烷基、-C(O)CH2-、-CH2C(O)-、可经Y取代之二价苯环、可经Y取代之二价吡啶环、可经Y取代之二价联苯基、可经Y取代之二价萘环、可经Y取代之二价噻吩环、可经Y取代之二价吡咯环、可经Y取代之呋喃环或可经Y取代之稠合杂环，且R74系为C1-C10烷基、乙醯基、可经Y取代之苯基、可经Y取代之吡啶基、可经Y取代之联苯基、可经Y取代之萘基、可经Y取代之噻吩基、可经Y取代之吡咯基、可经Y取代之呋喃基或可经Y取代之稠合杂芳基；Y系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之吡啶基、可经Z取代之联苯基、可经Z取代之萘基、可经Z取代之噻吩基、可经Z取代之吡咯基、可经Z取代之呋喃基或可经Z取代之稠合杂芳基，其限制条件为若Y系二或多个，则Y可相同或相异；且Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基，其限制条件为若Z系为二或多个，则Z可相同或相异。一种制造如申请专利范围第15项之供能量储存装置用之电极之方法，该方法系包含使式(18b)所示之胺基喹@sIMGCHAR!d10211.TIF@eIMG!啉化合物于集流器电极上进行电解聚合，@sIMGTIF!d10081.TIF@eIMG!其中R1’及R2’系接合以形成-CH2CH2CH2-，-CH2CH2O-，-OCH2CH2-，-CH2OCH2-，-OCH2O-，-CH2CH2S-，-SCH2CH2-，-CH2SCH2-，-CH2CH2N(R')-，-N(R')CH2CH2-，-CH2N(R')CH2-，-CH2CH2CH2CH2-，-CH2CH2CH2O-，-OCH2CH2CH2-，-CH2CH2OCH2-，-CH2OCH2CH2-，-CH2OCH2O-，-OCH2CH2O-，-SCH2CH2S-，-OCH2CH2S-，-SCH2CH2O-，-CH2CH=CH-，-CH=CHCH2-，-OCH=CH-，-CH=CHO-，-SCH=CH-，-CH=CHS-，-N(R')CH=CH-，-CH=CHN(R')-，-OCH=N-，-N=CHO-，-SCH=N-，-N=CHS-，-N(R')CH=N-，-N=CHN(R')-，-N(R')N=CH-，-CH=N(R')N-，-CH=CHCH=CH-，-OCH2CH=CH-，-CH=CHCH2O-，-N=CHCH=CH-，-CH=CHCH=N-，-N=CHCH=N-，-N=CHN=CH-，或-CH=NCH=N-其中键结于此等基团之碳原子的氢原子可经Y所取代，且R’系表示氢原子、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10氰基烷基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之吡啶基、可经Z取代之联苯基、可经Z取代之萘基、可经Z取代之噻吩基、可经Z取代之吡咯基、可经Z取代之呋喃基或可经Z取代之稠合杂芳基；R3及R4个别表示氢原子、卤原子、氰基、硝基、胺基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Y取代之苯基、可经Y取代之吡啶基、可经Y取代之联苯基、可经Y取代之萘基、可经Y取代之噻吩基、可经Y取代之吡咯基、可经Y取代之呋喃基或可经Y取代之稠合杂芳基，其限制条件为当R3及R4个别系为前文定义之苯基、吡啶基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基时，此等基团可经由单键连接；X2系表示-NH-R73-NH2或-NH-R74，其中R73系表示C1-C10伸烷基、-C(O)CH2-、-CH2C(O)-、可经Y取代之二价苯环、可经Y取代之二价吡啶环、可经Y取代之二价联苯基、可经Y取代之二价萘环、可经Y取代之二价噻吩环、可经Y取代之二价吡咯环、可经Y取代之呋喃环或可经Y取代之稠合杂环，且R74系为C1-C10烷基、乙醯基、可经Y取代之苯基、可经Y取代之吡啶基、可经Y取代之联苯基、可经Y取代之萘基、可经Y取代之噻吩基、可经Y取代之吡咯基、可经Y取代之呋喃基或可经Y取代之稠合杂芳基；Y系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之吡啶基、可经Z取代之联苯基、可经Z取代之萘基、可经Z取代之噻吩基、可经Z取代之吡咯基、可经Z取代之呋喃基或可经Z取代之稠合杂芳基，其限制条件为若Y系二或多个，则Y可相同或相异；且Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基，其限制条件为若Z系为二或多个，则Z可相同或相异。一种制造如申请专利范围第16项之供能量储存装置用之电极之方法，该方法系包含使式(18c)所示之胺基喹@sIMGCHAR!d10212.TIF@eIMG!啉化合物于集流器电极上进行电解聚合，@sIMGTIF!d10082.TIF@eIMG!其中R1及R2个别表示氢原子、羟基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、可经Y取代之苯基、可经Y取代之吡啶基、可经Y取代之联苯基、可经Y取代之萘基、可经Y取代之噻吩基、可经Y取代之吡咯基、可经Y取代之呋喃基或可经Y取代之稠合杂芳基，其限制条件为当R1及R2个别系为前文定义之苯基、吡啶基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基时，此等基团可经由单键连接；R3’及R4’系接合以形成-CH2CH2CH2-，-CH2CH2O-，-OCH2CH2-，-CH2OCH2-，-OCH2O-，-CH2CH2S-，-SCH2CH2-，-CH2SCH2-，-CH2CH2N(R')-，-N(R')CH2CH2-，-CH2N(R')CH2-，-CH2CH2CH2CH2-，-CH2CH2CH2O-，-OCH2CH2CH2-，-CH2CH2OCH2-，-CH2OCH2CH2-，-CH2OCH2O-，-OCH2CH2O-，-SCH2CH2S-，-OCH2CH2S-，-SCH2CH2O-，-CH2CH=CH-，-CH=CHCH2-，-OCH=CH-，-CH=CHO-，-SCH=CH-，-CH=CHS-，-N(R')CH=CH-，-CH=CHN(R')-，-OCH=N-，-N=CHO-，-SCH=N-，-N=CHS-，-N(R')CH=N-，-N=CHN(R')-，-N(R')N=CH-，-CH=N(R')N-，-CH=CHCH=CH-，-OCH2CH=CH-，-CH=CHCH2O-，-N=CHCH=CH-，-CH=CHCH=N-，-N=CHCH-N-，-N=CHN=CH-，或-CH=NCH=N-其中键结于此等基团之碳原子的氢原子可经Y所取代，且R’系表示氢原子、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10氰基烷基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之吡啶基、可经Z取代之联苯基、可经Z取代之萘基、可经Z取代之噻吩基、可经Z取代之吡咯基、可经Z取代之呋喃基或可经Z取代之稠合杂芳基；X2系表示-NH-R73-NH2或-NH-R74，其中R73系表示C1-C10伸烷基、-C(O)CH2-、-CH2C(O)-、可经Y取代之二价苯环、可经Y取代之二价吡啶环、可经Y取代之二价联苯基、可经Y取代之二价萘环、可经Y取代之二价噻吩环、可经Y取代之二价吡咯环、可经Y取代之呋喃环或可经Y取代之稠合杂环，且R74系为C1-C10烷基、乙醯基、可经Y取代之苯基、可经Y取代之吡啶基、可经Y取代之联苯基、可经Y取代之萘基、可经Y取代之噻吩基、可经Y取代之吡咯基、可经Y取代之呋喃基或可经Y取代之稠合杂芳基；Y系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之吡啶基、可经Z取代之联苯基、可经Z取代之萘基、可经Z取代之噻吩基、可经Z取代之吡咯基、可经Z取代之呋喃基或可经Z取代之稠合杂芳基，其限制条件为若Y系二或多个，则Y可相同或相异；且Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基，其限制条件为若Z系为二或多个，则Z可相同或相异。一种制造如申请专利范围第17项之供能量储存装置用之电极之方法，该方法系包含使式(18d)所示之胺基喹@sIMGCHAR!d10213.TIF@eIMG!啉化合物于集流器电极上进行电解聚合，@sIMGTIF!d10083.TIF@eIMG!其中R1’及R2’系接合以形成-CH2CH2CH2-，-CH2CH2O-，-OCH2CH2-，-CH2OCH2-，-OCH2O-，-CH2CH2S-，-SCH2CH2-，-CH2SCH2-，-CH2CH2N(R')-，-N(R')CH2CH2-，-CH2N(R')CH2-，-CH2CH2CH2CH2-，-CH2CH2CH2O-，-OCH2CH2CH2-，-CH2CH2OCH2-，-CH2OCH2CH2-，-CH2OCH2O-，-OCH2CH2O-，-SCH2CH2S-，-OCH2CH2S-，-SCH2CH2O-，-CH2CH=CH-，-CH=CHCH2-，-OCH=CH-，-CH=CHO-，-SCH=CH-，-CH=CHS-，-N(R')CH=CH-，-CH=CHN(R')-，-OCH=N-，-N=CHO-，-SCH=N-，-N=CHS-，-N(R')CH=N-，-N=CHN(R')-，-N(R')N=CH-，-CH=N(R')N-，-CH=CHCH=CH-，-OCH2CH=CH-，-CH=CHCH2O-，-N=CHCH=CH-，-CH=CHCH=N-，-N=CHCH=N-，-N=CHN=CH-，或-CH=NCH-N其中键结于此等基团之碳原子的氢原子可经Y所取代，且R’系表示氢原子、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10氰基烷基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之吡啶基、可经Z取代之联苯基、可经Z取代之萘基、可经Z取代之噻吩基、可经Z取代之吡咯基、可经Z取代之呋喃基或可经Z取代之稠合杂芳基；R3’及R4’系接合以形成-CH2CH2CH2-，-CH2CH2O-，-OCH2CH2-，-CH2OCH2-，-OCH2O-，-CH2CH2S-，-SCH2CH2-，-CH2SCH2-，-CH2CH2N(R')-，-N(R')CH2CH2-，-CH2N(R')CH2-，-CH2CH2CH2CH2-，-CH2CH2CH2O-，-OCH2CH2CH2-，-CH2CH2OCH2-，-CH2OCH2CH2-，-CH2OCH2O-，-OCH2CH2O-，-SCH2CH2S-，-OCH2CH2S-，-SCH2CH2O-，-CH2CH-CH-，-CH=CHCH2-，-OCH=CH-，-CH=CHO-，-SCH=CH-，-CH=CHS-，-N(R')CH=CH-，-CH=CHN(R')-，-OCH=N-，-N=CHO-，-SCH=N-，-N=CHS-，-N(R')CH=N-，-N=CHN(R')-，-N(R')N=CH-，-CH=N(R')N-，-CH=CHCH=CH-，-OCH2CH=CH-，-CH=CHCH2O-，-N=CHCH=CH-，-CH=CHCH=N-，-N-CHCH=N-，-N=CHN=CH-，或-CH=NCH-N-其中键结于此等基团之碳原子的氢原子可经Y所取代，且R’系表示氢原子、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10氰基烷基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之吡啶基、可经Z取代之联苯基、可经Z取代之萘基、可经Z取代之噻吩基、可经Z取代之吡咯基、可经Z取代之呋喃基或可经Z取代之稠合杂芳基；X2系表示-NH-R73-NH2或-NH-R74，其中R73系表示C1-C10伸烷基、-C(O)CH2-、-CH2C(O)-、可经Y取代之二价苯环、可经Y取代之二价吡啶环、可经Y取代之二价联苯基、可经Y取代之二价萘环、可经Y取代之二价噻吩环、可经Y取代之二价吡咯环、可经Y取代之呋喃环或可经Y取代之稠合杂环，且R74系为C1-C10烷基、乙醯基、可经Y取代之苯基、可经Y取代之吡啶基、可经Y取代之联苯基、可经Y取代之萘基、可经Y取代之噻吩基、可经Y取代之吡咯基、可经Y取代之呋喃基或可经Y取代之稠合杂芳基；Y系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、可经Z取代之苯基、可经Z取代之吡啶基、可经Z取代之联苯基、可经Z取代之萘基、可经Z取代之噻吩基、可经Z取代之吡咯基、可经Z取代之呋喃基或可经Z取代之稠合杂芳基，其限制条件为若Y系二或多个，则Y可相同或相异；且Z系表示卤原子、氰基、硝基、胺基、环氧基、乙烯基、C1-C10烷基、C1-C10卤烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10氰基烷基、苯基、联苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合杂芳基，其限制条件为若Z系为二或多个，则Z可相同或相异。