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一种多晶矽薄膜的形成方法，其中该多晶矽薄膜系在低温下直接沈积，而该方法包括下列步骤：提供一基材；以及进行一连续沈积制程，包括：第一沈积步骤，于多晶矽薄膜之成核阶段期间对该基材施加第一偏压，并藉由一电浆化学气相沈积法而于该基材上沈积一多晶矽材料至第一厚度；以及第二沈积步骤，于多晶矽薄膜之成长阶段期间对该基材施加第二偏压，并藉由该电浆化学气相沈积法而于该基材上继续沈积该多晶矽材料至第二厚度，以构成该多晶矽薄膜；其中，该第一偏压不同于该第二偏压，且该第一偏压包括RF偏压，该第二偏压包括DC偏压。如申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜的形成方法，其中该电浆化学气相沈积法包括超高频电浆辅助化学气相沈积法。如申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜的形成方法，其中该电浆化学气相沈积法包括外加回旋磁场化学气相沈积法。如申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜的形成方法，其中该电浆化学气相沈积法包括电感耦合式电浆化学气相沈积法。如申请专利范围第4项所述之多晶矽薄膜的形成方法，其中该电感耦合式电浆化学气相沈积法之进行系包括下列步骤：将该基材置入一真空腔体中；通入一含矽之气体到该真空腔体内；利用一感应线圈产生一电感耦合电场于该真空腔体内，藉以使该含矽之气体因该电感耦合电场而形成一高密度电浆；以及使该高密度电浆轰击至该基材上，而于该基材上沈积该多晶矽材料。如申请专利范围第1项所述之多晶矽薄膜的形成方法，其中该连续沈积制程更包括：第三沈积步骤，对该基材施加该第一偏压，并藉由该电浆化学气相沈积法而于该基材上继续沈积该多晶矽材料至第三厚度，以构成该多晶矽薄膜；以及在该多晶矽薄膜上形成一氮化矽层。如申请专利范围第6项所述之多晶矽薄膜的形成方法，其中该第一偏压包括RF偏压。 |
