发明名称 胺化合物、增强化学型光阻材料及图型形成方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.09.11
申请号 TW095137750 申请日期 2006.10.13
申请人 信越化學工業股份有限公司 日本 发明人 渡边武 日本;畠山润 日本
分类号 G03F7/039;C07D295/08;C07D295/10;C07D295/12;C07D295/14;G03F7/004;H01L21/027 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种增强化学型光阻材料,其特征系含有一种或两种以上之下述一般式(1)~(7)表示具有氟化烷基及吗啉结构的胺化合物,@sIMGTIF!d10001.TIF@eIMG!(式中,Rf系表示氢原子之一部份或全部被氟原子取代之碳数1~20之直链状、支链状或环状的烷基,R1系表示氢原子或甲基,R2系表示氢原子或氢原子之一部份或全部可被氟原子取代之碳数1~10之直链状、支链状或环状的醯基)。一种增强化学型光阻材料,其特征系含有(A)一种或两种以上之下述一般式(1)~(7)表示具有氟化烷基及吗啉结构之胺化合物(B)有机溶剂(C)具有以酸不稳定基保护之酸性官能基之硷不溶性或难溶性的树脂,该酸不稳定基脱去保护时,成为硷可溶性的基底树脂(D)酸产生剂@sIMGTIF!d10002.TIF@eIMG!(式中,Rf系表示氢原子之一部份或全部被氟原子取代之碳数1~20之直链状、支链状或环状的烷基,R1系表示氢原子或甲基,R2系表示氢原子或氢原子之一部份或全部可被氟原子取代之碳数1~10之直链状、支链状或环状的醯基)。一种图型形成方法,其特征系含有(1)将申请专利范围第1或2项之增强化学型光阻材料涂布于基板上的步骤(2)接着加热处理后,经由光罩以波长300nm以下之高能量线或电子射线进行曝光的步骤(3)加热处理后,使用显像液进行显像的步骤。
地址 日本