| 主权项 |
一种温度调整方法，其为在热处理装置中实施，而该热处理装置具备有：加热手段，用来对处理基板之处理室内进行加热；加热控制部，用来控制该加热手段；和第一和第二温度检测手段，用来检测上述处理室内之温度；而上述第一温度检测手段被配置在比上述第二温度检测手段更靠近上述基板之位置；上述第二温度检测手段被配置在比上述第一温度检测手段更靠近上述加热手段之位置；如此所成之热处理装置中之温度调整方法，该温度调整方法所具备之步骤是：利用上述加热控制部，以上述第一温度检测手段检测到之检测温度成为指定之目标温度之方式，进行积分运算，微分运算和比例运算，当根据所获得之第一输出控制型样进行控制时，求得从利用上述第二温度检测手段检测到之检测温度之升温开始时起至达到最大温度之期间之热量，使用从该热量之中减去上述比例运算之输出部份后之热量，求得第二输出控制型样。如申请专利范围第1项之温度调整方法，其中，更具有修正步骤，当下次之温度控制时之第二温度设定条件，与上述第一温度设定条件中之至少一个条件不同之情况时，使用上述第二输出控制型样来修正上述不同条件之部份。如申请专利范围第2项之温度调整方法，其中，上述修正步骤，为当下次之温度控制时之第二温度设定条件，与上述第一温度设定条件中之一个或二个之条件不同之情况时，使用上述第二输出控制型样来修正上述不同条件之部份的步骤。如申请专利范围第3项之温度调整方法，其中，上述不同条件中之至少一个条件是目标温度值。如申请专利范围第3项之温度调整方法，其中，上述不同条件中之至少一个条件是温度梯度值。如申请专利范围第3项之温度调整方法，其中修正步骤系在上述不同条件中之至少一个条件为目标温度值之情况时，将上述第一温度设定条件之第一目标温度值修正成为第二目标温度值，同时以与上述第二温度设定条件之第二目标温度值对应之方式，修正上述第二输出控制型样之温度梯度。如申请专利范围第3项之温度调整方法，其中，修正步骤系在上述不同条件中之至少一个条件为温度梯度值之情况时，将上述第一温度设定条件之第一温度梯度值修正成为第二温度梯度值。一种热处理装置，其具备有：加热手段，用来对处理基板之处理室内进行加热；加热控制部，用来控制该加热手段；和第一和第二温度检测手段，用来检测上述处理室内之温度；而上述第一温度检测手段被配置在比上述第二温度检测手段更靠近上述基板之位置；上述第二温度检测手段被配置在比上述第一温度检测手段更靠近上述加热手段之位置；该热处理装置系：上述加热控制部，以上述第一温度检测手段检测到之检测温度成为指定之目标温度之方式，进行积分运算，微分运算和比例运算，当根据所获得之第一输出控制型样进行控制时，求得从利用上述第二温度检测手段检测到之检测温度之升温开始时起至达到最大温度之期间之热量，使用从该热量之中减去上述比例运算之输出部份后之热量，求得第二输出控制型样。如申请专利范围第8项之热处理装置，其中，上述加热控制部更在下次之温度控制时之第二温度设定条件，与上述第一温度设定条件中之至少一个条件不同之情况时，使用上述第二输出控制型样来修正上述不同条件之部份。如申请专利范围第9项之热处理装置，其中上述加热控制部在下次之温度控制时之第二温度设定条件，与上述第一温度设定条件中之至少一个或二个之条件不同之情况时，使用上述第二输出控制型样来修正上述不同条件之部份。如申请专利范围第9项之热处理装置，其中，上述不同条件中之至少一个条件为目标温度值。如申请专利范围第9项之热处理装置，其中，上述不同条件中之至少一个条件为温度梯度值。如申请专利范围第9项之热处理装置，其中，上述加热控制部，系在上述不同条件中之至少一个条件为目标温度值之情况时，将上述第一温度设定条件之第一目标温度值修正成为第二目标温度值，同时以与上述第二温度设定条件之第二目标温度值对应之方式，修正上述第二输出控制型样之温度梯度。如申请专利范围第9项之热处理装置，其中，上述加热控制部在上述不同条件中之至少一个条件为温度梯度值之情况时，将上述第一温度设定条件之第一温度梯度值修正成为第二温度梯度值。一种半导体装置之制造方法，其为在热处理装置中实施，而该热处理装置具备有：加热手段，用来对处理基板之处理室内进行加热；加热控制部，用来控制该加热手段；和第一和第二温度检测手段，用来检测上述处理室内之温度；而上述第一温度检测手段被配置在比上述第二温度检测手段更靠近上述基板之位置；上述第二温度检测手段被配置在比上述第一温度检测手段更靠近上述加热手段之位置；如此所成之热处理装置中之半导体装置之制造方法，该半导体装置之制造方法所具备之步骤有：利用上述加热控制部，以上述第一温度检测手段检测到之检测温度成为指定之目标温度之方式，进行积分运算，微分运算和比例运算，当根据所获得之第一输出控制型样进行控制时，求得从利用上述第二温度检测手段检测到之检测温度之升温开始时起至达到最大温度之期间之热量，使用从该热量之中减去上述比例运算之输出部份后之热量，求得第二输出控制型样的步骤；和上述加热控制部使用上述被修正之上述第二输出控制型样来控制上述加热手段，并对被搬入到上述处理室内之基板进行处理的步骤。如申请专利范围第15项之半导体装置之制造方法，其中，更具有：修正步骤，当下次之温度控制时之第二温度设定条件，与上述第一温度设定条件中之至少一个条件不同之情况时，使用上述第二输出控制型样修正上述不同条件部份；和处理步骤，上述加热控制部使用上述被修正之上述第二输出控制型样，控制上述加热手段，并对被搬入到上述处理室内之基板进行处理。如申请专利范围第16项之半导体装置之制造方法，其中之修正步骤系，当下次之温度控制时之第二温度设定条件，与上述第一温度设定条件中之一个或二个条件不同之情况时，使用上述第二输出控制型样修正上述不同条件之部份。如申请专利范围第16项之半导体装置之制造方法，其中上述不同条件中之至少一个条件为目标温度值。如申请专利范围第16项之半导体装置之制造方法，其中，上述不同条件中之至少一个条件为温度梯度值。如申请专利范围第16项之半导体装置之制造方法，其中，系修正步骤在上述不同条件中之至少一个条件为目标温度值之情况时，将上述第一温度设定条件之第一目标温度值修正成为第二目标温度值，同时以与上述第二温度设定条件之第二目标温度值对应之方式，修正上述第二输出控制型样之温度梯度。如申请专利范围第16项之半导体装置之制造方法，其中，修正步骤系在上述不同条件中之至少一个条件为温度梯度值之情况时，将上述第一温度设定条件之第一温度梯度值修正成为第二温度梯度值。一种半导体装置之制造方法，其为使用申请专利范围第1项之热处理装置之温度调整方法进行处理，其具备之步骤是上述加热控制部使用上述被修正之上述第二输出控制型样来控制上述加热手段，并对被搬入到上述处理室内之基板进行处理。一种半导体装置之制造方法，其为使用申请专利范围第3项之热处理装置之温度调整方法进行处理，其具备之步骤是上述加热控制部使用上述被修正之上述第二输出控制型样来控制上述加热手段，并对被搬入到上述处理室内之基板进行处理。 |
