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一种影像显示系统的薄膜电晶体之制造方法，该方法包含：提供一基板，该基板定义有一第一区域；于该基板上方形成一第一非晶矽层；图案化该第一非晶矽层于该第一区域形成一第一非晶矽岛；形成一闸极绝缘层覆盖该基板、该第一非晶矽岛；形成一第二非晶矽层覆盖该闸极绝缘层；以波长大于400奈米的雷射光源，执行一雷射回火制程，使得该第二非晶矽层、该第一非晶矽岛同时再结晶为一第二多晶矽层、一第一多晶矽岛；图案化该第二多晶矽层，于第一多晶矽岛上方形成一第一多晶矽闸极；以及，其中第一多晶矽岛不具有通道离子掺杂。如申请专利范围第1项的制作方法，其中该波长大于400奈米的雷射光源其较佳为波长范围400奈米至700奈米的可见光雷射。如申请专利范围第2项的制作方法，其中该较佳波长范围400奈米至700奈米的可见光的更佳者为波长532奈米的雅格雷射(Nd：YAG)光源。如申请专利范围第1项的制作方法，经过上述该雷射回火制程后，该第一多晶矽闸极的晶粒尺寸大于该第一多晶矽岛的晶粒尺寸。如申请专利范围第1项的制作方法，尚包含执行一闸极离子掺杂制程于该第二多晶矽层，其中该闸极离子掺杂制程的离子型态为P或N型。如申请专利范围第1项的制作方法，尚包含经由掺杂形成一第一汲极与一第一源极，该掺杂可为一N型离子重掺杂制程，或一P型离子掺杂制程。如申请专利范围第6项的制作方法，其中该离子掺杂制程的执行时间系选自下列群组之一：形成该闸极绝缘层之前、形成该闸极绝缘层之后、执行该雷射回火制程之后。如申请专利范围第1项的制作方法，该基板上定义一第二区域，该制作方法尚包含：图案化该第一非晶矽层于该第二区域形成一第二非晶矽岛；该闸极绝缘层覆盖该第二非晶矽岛；执行该雷射回火制程使该第二非晶矽岛结晶为一第二多晶矽岛；图案化该第二多晶矽层，于该第二多晶矽岛上方形成一第二多晶矽闸极。经由掺杂形成一第二汲极与一第二源极。如申请专利范围第8项的制作方法，经过上述该雷射回火制程后，该第二多晶矽闸极的晶粒尺寸大于该第二多晶矽岛的晶粒尺寸。如申请专利范围第1项的制作方法，尚包含：提供一第二基板，封合该基板与该第二基板，并注入一液晶于该基板与该第二基板之间，以形成一液晶显示系统。一种影像显示系统的薄膜电晶体结构，包含：一基板；一第一多晶矽岛设置于该基板上；一闸极绝缘层设置于该基板上并覆盖该第一多晶矽岛；一第一多晶矽闸极设置在该第一多晶矽岛上的该闸极绝缘层上；其中该第一多晶矽岛包含了一第一源极与一第一汲极；以及，其中第一多晶矽岛不具有通道离子掺杂。如申请专利范围第11项的结构，更包含一缓冲层设置于该基板上，其中该第一多晶矽岛系设置于该缓冲层上。如申请专利范围第11项的结构，其中该第一多晶矽闸极的晶粒尺寸大于该第一多晶矽岛的晶粒尺寸。如申请专利范围第11项的结构，其中该第一源极与该第一汲极之间尚包含两个轻掺杂汲极。如申请专利范围第11项的结构，其中该第一多晶矽闸极具有P型或N型离子掺杂以调整其功函数。如申请专利范围第13项的结构，更包含：一第二多晶矽岛设置于该基板上，该闸极绝缘层覆盖该第二多晶矽岛；及一第二多晶矽闸极设置在该第二多晶矽岛上的该闸极绝缘层上，其中该第二多晶矽岛包含了一第二源极与一第二汲极。如申请专利范围第16项的结构，尚包含：一第一介电层覆盖该闸极绝缘层、该第一多晶矽闸极、该第二多晶矽闸极；一第二介电层覆盖该第一介电层；复数个接触窗分别暴露该第一多晶矽闸极、该第一源极、该第一汲极、该第二多晶矽闸极、该第二源极、该第二汲极；及一金属层覆盖该复数个接触窗，其中该金属层上下分别设置一阻障层；藉此，该第一源极、该第一汲极、该第一多晶矽闸极构成一N型薄膜电晶体，该第二多晶矽闸极、该第二源极、该第二汲极构成一P型薄膜电晶体，该N型薄膜电晶体或P型薄膜电晶体应用于一主动式矩阵显示面板或一主动式矩阵有机发光二极体面板内的一开关元件或一驱动元件。如申请专利范围第11项的结构，尚包含：提供一第二基板，封合该基板与该第二基板，并注入一液晶于该基板与该第二基板之间，以形成一液晶显示系统。一种影像显示系统，包含一平面显示装置与一输入单元，其中该平面显示装置包含如专利申请范围第11项之薄膜电晶体结构，该输入单元耦接至该平面显示装置，用以提供一输入讯号至该平面显示装置，使该平面显示装置显示影像。如申请专利范围第19项所述之影像显示系统，包含一个人数位助理(PDA)、一行动电话(cellular phone)、一数位相机、一电视、一全球定位系统(GPS)、一车用显示器、一航空用显示器、一数位相框(digital photo frame)、一笔记型电脑或是一桌上型电脑。 |
