发明名称 透明导电性膜及触控面板
摘要
申请公布号 TWI348713 申请公布日期 2011.09.11
申请号 TW094133872 申请日期 2005.09.29
申请人 日东电工股份有限公司 发明人 梨木智刚;菅原英男;安藤豪彦;吉武秀敏
分类号 H01B5/14;G06F3/033 主分类号 H01B5/14
代理机构 代理人 桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种透明导电性膜,系在透明薄膜基材一面上具有硬涂层,进一步在该硬涂层上具有依乾法制程所形成厚度10~300nm的SiOx层,并在透明薄膜基材另一面上具有厚度20~35nm的透明导电性层。如申请专利范围第1项之透明导电性膜,其中,SiOx层侧的水蒸气穿透率系2g/(m2.24hr.atm)以下。如申请专利范围第1项之透明导电性膜,其中,在SiOx层上进一步设有防污层。如申请专利范围第1项之透明导电性膜,其中该透明薄膜基材,系将2片以上的透明薄膜基材利用透明黏着剂层贴合而成的积层体。如申请专利范围第1项之透明导电性膜,其中,透明导电性层系由氧化铟锡所构成的薄膜。如申请专利范围第1项之透明导电性膜,其中,SiOx层的折射率系1.40~2.00。如申请专利范围第6项之透明导电性膜,其中该SiOx层,从硬涂层侧起,系至少依序积层着:经调整为折射率1.7~1.9的SiOx层(41)、与经调整为折射率1.4~1.49的SiOx层(42)。如申请专利范围第6项之透明导电性膜,其中该SiOx层,从硬涂层侧起,系依序积层着:调整为折射率1.5~1.69的SiOx层(43)、调整为折射率1.7~1.9的SiOx层(41)、及调整为折射率1.4~1.49的SiOx层(42)等3层。如申请专利范围第6项之透明导电性膜,其中该SiOx层,从硬涂层侧起,系依经调整为折射率1.7~1.9的SiOx层(41)、与经调整为折射率1.4~1.49的SiOx层(42)之顺序,重复2次积层而合计积层着4层。一种触控面板,系将具有透明导电性膜的一对面板,以透明导电性层间成相对向的方式隔着间隔件相对向配置而成;其特征在于:至少一面板系申请专利范围第1至9项中任一项之透明导电性膜。
地址 日本