| 主权项 |
一种用于低温共烧陶瓷电路中之厚膜组合物，其包含，以厚膜组合物之总重量计：(a)30-98重量百分比的选自贵金属、贵金属之合金及其混合物之微粒子；(b)一或多种选自以下之无机黏合剂：(1)0.2-20重量百分比的一或多种耐火玻璃组合物，该耐火玻璃组合物在该电路之烧制温度下具有6-7.6之范围内之比黏度(log n)；(2)0.1-5重量百分比的选自以下各物之一额外无机黏合剂：(i)金属氧化物；(ii)金属氧化物之前驱物；(iii)非氧化物之硼化物；(iv)非氧化物之矽化物；及(v)其混合物之；及(3)其混合物；(c)有机介质中；且其中组份(a)及(b)系分散于该有机介质(c)中，且其中在该烧制条件下该等玻璃组合物与存在于该低温共烧陶瓷基板玻璃中之剩余玻璃不可混溶或部分可混溶。如请求项1之组合物，其中该贵金属系选自Au、Ag、Pd及Pt。如请求项1之组合物，其中该贵金属之合金为选自Au、Ag、Pd及Pt之金属的合金。如请求项1之组合物，其中该金属氧化物系选自Zn、Mg、Co、Al、Zr、Mn、Ni、Cu、Ta、W、La及其混合物之氧化物。如请求项1之组合物，其中金属氧化物之该等前驱物为Zn、Mg、Co、Al、Zr、Mn、Ni、Cu、Ta、W、La及其混合物之前驱物。如请求项1之组合物，其中该耐火玻璃组合物，以总玻璃组合物之重量百分比计，包含：25-60% SiO2、10-20% Al2O3、10-15% B2O3、5-25% CaO及1-5%剩余之其他网状改质离子。如请求项1之组合物，其中该贵金属为球形Au且其中该Au之平均粒径分布在1-6微米之范围中。一种低温共烧陶瓷电路板，其包含如请求项1之组合物，其中该组合物已经处理以烧结该玻璃粉金属粉末及/或其他烧结助剂且移除该有机介质。一种形成一多层电路板之方法，其包含：a)在复数个生瓷带层中形成一图案化通道阵列；b)用一通道填充厚膜组合物填充步骤(a)之该生瓷带层中之该通道；c)在步骤(b)之该通道填充生瓷带层之任一者或全部之一表面上印刷图案化厚膜功能层；d)在步骤(c)之该生瓷带层之最外部表面上印刷一表面厚膜之图案化层；e)对步骤(d)之该经印刷之生瓷带层层压以形成一组合，该组合包含由未烧制生瓷带隔开之复数个未烧制的互连功能层；及f)共烧步骤(e)之该组合；且其中一或多个该通道填充厚膜组合物、图案化厚膜功能层及表面厚膜使用如请求项1之组合物。一种形成一多层电路板之方法，其包含：a)在复数个生瓷带层中形成一图案化通道阵列；b)用通道填充厚膜组合物填充步骤(a)之该生瓷带层中之该通道；c)在步骤(b)之该通道填充生瓷带层之某些或全部之表面上印刷图案化之厚膜功能层；d)对步骤(c)之该经印刷之生瓷带层层压以形成一组合，该组合包含由未烧制之生瓷带隔开之复数个未烧制的互连功能层；e)在步骤(d)之该组合上印刷至少一个表面厚膜组合物之图案化层；及f)共烧步骤(e)之该组合及图案化层；且其中一或多个该通道填充厚膜组合物、图案化厚膜功能层及表面厚膜使用如请求项1之组合物。一种多层电路板，其藉由如请求项9或10之任一项之方法形成。一种如请求项1之组合物之用途，其用于形成微波及其他高频电路元件，其包括：天线、滤波器、平衡-不平衡转换器、波束形成器、I/O、耦合器、通道连接线、EM耦合连接线、线接合连接及传输线。 |
